半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底中形成掺杂层；在所述掺杂层和衬底上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔底部暴露出所述掺杂层；在所述掺杂层表面沉积非晶半导体层；形成接触孔之后，在所述非晶半导体层表面形成金属层；对所述金属层和非晶半导体层进行退火处理，使所述非晶半导体层与所述金属层反应形成金属化物；形成所述金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断进步，半导体器件的特征尺寸逐渐变小。关键尺寸的缩小意味着在芯片上可布置更多数量的晶体管，同时给半导体工艺提出了更高的要求。由于金属具有良好的导电性，在半导体技术中，往往通过金属插塞实现半导体连接件(例如，栅极和源漏掺杂区)与外部电路的电连接。然而，由于金属与半导体之间的费米能级相差较大，金属插塞与半导体连接件之间的势垒较高，导致金属插塞与半导体连接件之间的接触电阻较大。现有技术通过在金属插塞与半导体连接件之间形成金属硅化物来降低接触电阻，提高半导体结构的性能。然而，现有技术形成的半导体结构存在性能较差的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够改善所形成半导体结构的性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底中形成掺杂层；在所述掺杂层和衬底上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔贯穿所述掺杂层上的介质层；在所述掺杂层表面沉积非晶半导体层；形成接触孔之后，对所述非晶半导体层进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成掺杂层；在所述掺杂层和衬底上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔贯穿所述掺杂层上的介质层；在所述掺杂层表面沉积非晶半导体层；形成接触孔之后，对所述非晶半导体层进行金属化处理，形成金属化物；形成所述金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成掺杂层；在所述掺杂层和衬底上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔贯穿所述掺杂层上的介质层；在所述掺杂层表面沉积非晶半导体层；形成接触孔之后，对所述非晶半导体层进行金属化处理，形成金属化物；形成所述金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔之后，在所述掺杂层表面形成非晶半导体层。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层之前，在所述掺杂层表面形成非晶半导体层。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非晶半导体层的材料为非晶硅、非晶锗、非晶硅锗或非晶碳化硅。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非晶半导体层的厚度为1.8nm～2.2nm。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述非晶半导体层的工艺包括原子层沉积工艺或低温外延工艺。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述非晶半导体层的工艺包括低温外延工艺，所述低温外延工艺的工艺参数包括：反应气体包括硅烷和二氯硅烷，反应温度为450℃～600℃，气体压强为0.1torr～1torr。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述半导体非晶层之前，还包括：在所述掺杂层中形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度大于所述非晶半导体层的厚度；所述非晶半导体层位于所述第一凹槽底部和侧壁表面。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为9nm～11nm。10.如权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路新技术研发上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31