浅沟槽隔离结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包括衬底；氧化垫层，所述氧化垫层位于所述衬底上；沟槽，形成于所述氧化垫层及所述衬底中；以及隔离介质，包括填充于所述沟槽中的隔离填充部以及凸出于所述隔离填充部上的隔离凸起部，所述隔离凸起部的底部侧壁与所述氧化垫层紧密相接。在浅沟槽隔离结构的制作方法中，本实用新型专利技术在氧化垫层上加入牺牲介质层，降低隔离凸起部与临近介质层接触面的应力，同时，本实用新型专利技术不采用传统的酸式湿法刻蚀工艺，而采用干法刻蚀工艺形成浅沟槽隔离结构的隔离凸起部，以避免在酸式湿法刻蚀过程中造成的浅沟槽隔离结构轮廓损伤的问题，从而提高器件性能及良率。

【技术实现步骤摘要】
浅沟槽隔离结构
本技术属于集成电路设计制造领域，特别是涉及一种浅沟槽隔离结构及制作方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的信息存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展，即半导体器件的特征尺寸(CD，CriticalDimension)越小，而半导体芯片的集成度越高。目前，半导体集成电路通常包含有源区和位于有源区之间的隔离区，这些隔离区在制造有源器件之前形成。伴随着半导体工艺进入深亚微米时代，半导体器件的有源区隔离层已大多采用浅沟槽隔离工艺(ShallowTrenchIsolation，STI)来制作。在半导体制造工艺中，浅沟槽隔离结构(STI)的性能对于最后形成的半导体器件的性能和良率是至关重要的。当半导体器件的关键尺寸缩小到28nm节点及以下时，在浅沟槽隔离结构的制作工艺中，掩膜层移除时，浅沟槽隔离结构(STI)的高出半导体衬底的部分的轮廓越来越难控制。例如，位于衬底上的硬掩膜与填充的隔离介质材料之间通常会有较大应力，在经过化学机械研磨工艺(CMP)研磨后，该硬掩膜与隔离介质材料之间的应力会造成隔离介质材料边缘松动，同时在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底表面具有氧化垫层；沟槽，形成于所述氧化垫层及所述衬底中；以及隔离介质，包括填充于所述沟槽中的隔离填充部以及凸出于所述隔离填充部上的隔离凸起部，所述隔离凸起部的底部侧壁与所述氧化垫层紧密相接。

【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底表面具有氧化垫层；沟槽，形成于所述氧化垫层及所述衬底中；以及隔离介质，包括填充于所述沟槽中的隔离填充部以及凸出于所述隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈龙阳，吴公一，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34