溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术的溅射装置为通过溅射法在被处理基板上进行成膜的装置，包括：真空腔室；靶，设置在位于所述真空腔室内的阴极的表面上；基板保持部，以与所述靶相对的方式设置于所述真空腔室内，在所述基板保持部上设置被处理基板；和摇动部，用于使所述基板保持部相对于所述靶能够摇动。所述基板保持部中的所述被处理基板的摇动区域被设定为小于所述靶的溅蚀区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射装置
本专利技术涉及一种溅射装置，特别是涉及一种适于在具有磁控管阴极的成膜中使用的技术。本申请基于2017年6月28日在日本申请的专利申请第2017-126261号要求优先权，并且在此援引其内容。
技术介绍
如专利文献1中的记载，在具有磁控管阴极的成膜装置中已知有为了提高靶的利用效率等而使磁铁相对于靶移动的方式。另外，如专利文献1所公开的技术那样，还已知有为了提高成膜均匀性等，在磁铁移动的基础上，使阴极及靶相对于成膜基板摇动。在如专利文献1所公开的技术那样使磁铁或阴极摇动的装置中，必然存在由摇动中的摇动部发生的灰尘。因此，虽然在专利文献1中未公开，但为了防止发生的颗粒对溅射处理室内的成膜带来不良影响，需要将用于收纳并密闭驱动部的内部腔室设置于溅射处理室内，其中，该驱动部用于使磁铁和/或阴极摇动(专利文献2)。专利文献1：日本专利公开2009-41115号公报专利文献2：日本专利公开2012-158835号公报专利文献3：日本专利第5869560号公报然而，在处理腔室内会发生多余成膜的附着物，而该附着物可能会成为发生新颗粒的原因。特别是，具有从摇动的阴极等可动部分发生的颗粒显著的问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射装置，其为通过溅射法在被处理基板上进行成膜的装置，包括：真空腔室；靶，设置在位于所述真空腔室内的阴极的表面上；基板保持部，以与所述靶相对的方式设置于所述真空腔室内，在所述基板保持部上设置被处理基板；和摇动部，用于使所述基板保持部相对于所述靶能够摇动，所述基板保持部中的所述被处理基板的摇动区域被设定为小于所述靶的溅蚀区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.06.28 JP 2017-1262611.一种溅射装置，其为通过溅射法在被处理基板上进行成膜的装置，包括：真空腔室；靶，设置在位于所述真空腔室内的阴极的表面上；基板保持部，以与所述靶相对的方式设置于所述真空腔室内，在所述基板保持部上设置被处理基板；和摇动部，用于使所述基板保持部相对于所述靶能够摇动，所述基板保持部中的所述被处理基板的摇动区域被设定为小于所述靶的溅蚀区域。2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述基板保持部具备纵防着板，所述纵防着板配置在所述被处理基板的在所述基板保持部的摇动方向上的两端位置且沿与所述摇动方向交叉的方向延伸。3.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，所述真空腔室具备横防着板，所述横防着板配置在所述纵防着板的与所述摇动方向交叉的方向上的端部且配置在所述被处理基板的两端位置，并且所述横防着板不与所述基板保持部的摇动同步。4.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，所述纵防着板的长度被设定为大于在与所述摇动方向交叉的方向上彼此相对的所述横防着板之间的尺寸。5.根据权利要求3所述的溅射装...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子俊则，大野哲宏，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本,JP