Cu-Ga溅射靶及Cu-Ga溅射靶的制造方法技术

本发明专利技术的Cu‑Ga溅射靶作为金属成分具有如下组成：含有5原子％以上且60原子％以下范围的Ga，进一步含有0.01原子％以上且5原子％以下范围的选自K、Rb及Cs中的至少一种添加元素，并且余量由Cu及不可避免的杂质构成，所述添加元素的全部或一部分以含有选自F、Cl、Br及I中的至少一种卤素的卤化物粒子的状态存在，所述卤化物粒子的最大粒径为15μm以下，氧浓度为1000质量ppm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Cu-Ga溅射靶及Cu-Ga溅射靶的制造方法
本专利技术涉及一种在形成成为例如CIGS太阳能电池的光吸收层的Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜时使用的Cu-Ga溅射靶及该Cu-Ga溅射靶的制造方法。本申请主张基于2016年7月29日于日本申请的专利申请2016-149404号及2017年3月15日于日本申请的专利申请2017-050548号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
以往，作为由化合物半导体构成的薄膜太阳能电池，提供一种具备由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜构成的光吸收层的CIGS系太阳能电池。在此，作为形成由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜构成的光吸收层的方法，已知有通过蒸镀法来成膜的方法。具备通过蒸镀法来成膜的光吸收层的太阳能电池虽然具有能量转换效率高的优点，但存在不适合大面积化要求且生产效率低的问题。因此，提出通过溅射法来形成由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜构成的光吸收层的方法。溅射法中，首先使用In靶形成In膜，在该In膜上使用Cu-Ga溅射靶形成Cu-Ga膜，从而形成In膜与Cu-Ga膜的层叠膜。之后在Se气氛中对该层叠膜进行热处理使层叠膜硒化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Cu‑Ga溅射靶，其特征在于，作为金属成分具有如下组成：含有5原子％以上且60原子％以下范围的Ga，进一步含有0.01原子％以上且5原子％以下范围的选自K、Rb及Cs中的至少一种添加元素，并且余量由Cu及不可避免的杂质构成，所述添加元素的全部或一部分以含有选自F、Cl、Br及I中的至少一种卤素的卤化物粒子的状态存在，所述卤化物粒子的最大粒径为15μm以下，氧浓度为1000质量ppm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.29 JP 2016-149404;2017.03.15 JP 2017-050541.一种Cu-Ga溅射靶，其特征在于，作为金属成分具有如下组成：含有5原子％以上且60原子％以下范围的Ga，进一步含有0.01原子％以上且5原子％以下范围的选自K、Rb及Cs中的至少一种添加元素，并且余量由Cu及不可避免的杂质构成，所述添加元素的全部或一部分以含有选自F、Cl、Br及I中的至少一种卤素的卤化物粒子的状态存在，所述卤化物粒子的最大粒径为15μm以下，氧浓度为1000质量ppm以下。2.根据权利要求1所述的Cu-Ga溅射靶，其特征在于，所述添加元素的含量偏差为0.05质量％以下。3.根据权利要求1或2所述的Cu-Ga溅射靶，其特征在于，进一步含有0.01原子％以上10原子％以下范围的Na，所述Na以含有选自F、Cl、Br、I、S及...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅本启太，井尾谦介，张守斌，盐野一郎，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP