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本发明的Cu‑Ga溅射靶作为金属成分具有如下组成：含有5原子％以上且60原子％以下范围的Ga，进一步含有0.01原子％以上且5原子％以下范围的选自K、Rb及Cs中的至少一种添加元素，并且余量由Cu及不可避免的杂质构成，所述添加元素的全部或一...
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