高空穴移动率晶体管制造技术

本发明专利技术实施例提供一种高空穴移动率晶体管，包括：背阻挡层，位于基板上；导通层，位于背阻挡层上；通道区，位于导通层中，邻近导通层与背阻挡层的介面；掺杂层，位于导通层上；栅极电极，位于掺杂层上；源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧；及能带调整层，位于掺杂层上，并与栅极电极电连接；其中能带调整层为N型掺杂三五族半导体。本发明专利技术可形成增强型高空穴移动率晶体管，同时保持良好均匀性及通道低阻值。

【技术实现步骤摘要】
高空穴移动率晶体管
本专利技术实施例有关于一种半导体技术，特别是有关于一种高空穴移动率晶体管。
技术介绍
GaN材料因具有宽能带间隙及高速移动电子，广泛应用于高功率半导体装置当中，特别是射频与功率上的应用。传统上，高电子移动率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，HEMT)利用三五族半导体堆叠，在其介面处形成异质接面(heterojunction)。由于异质接面处的能带弯曲，导带(conductionband)弯曲深处形成位能阱(potentialwell)，并在位能阱中形成二维电子气(two-dimensionalelectrongas，2DEG)。由于在通道中移动的是电子，因此高电子移动率晶体管为N型元件。传统上，亦可利用三五族半导体堆叠，在其介面处形成二维空穴气(two-dimensionalholdgas，2DHG)，并且利用凹蚀栅极(gaterecess)的方式，改变能带结构，减少二维空穴气，形成增强型(enhancementmode，E-mode)高空穴移动率晶体管(HighHoleMobilityTransistor，HHMT)。然而，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高空穴移动率晶体管，其特征在于，包括：一背阻挡层，位于一基板上；一导通层，位于该背阻挡层上；一通道区，位于该导通层中，邻近该导通层与该背阻挡层的一介面；一掺杂层，位于该导通层上；一栅极电极，位于该掺杂层上；一源极/漏极电极，分别位于该栅极电极的两相对侧；及一能带调整层，位于该掺杂层上，并与该栅极电极电连接；其中该能带调整层为N型掺杂三五族半导体。

【技术特征摘要】
1.一种高空穴移动率晶体管，其特征在于，包括：一背阻挡层，位于一基板上；一导通层，位于该背阻挡层上；一通道区，位于该导通层中，邻近该导通层与该背阻挡层的一介面；一掺杂层，位于该导通层上；一栅极电极，位于该掺杂层上；一源极/漏极电极，分别位于该栅极电极的两相对侧；及一能带调整层，位于该掺杂层上，并与该栅极电极电连接；其中该能带调整层为N型掺杂三五族半导体。2.如权利要求1所述的高空穴移动率晶体管，其特征在于，该能带调整层包括N型掺杂的GaN、AlGaN、AlN、GaAs、AlGaAs、InP、InAlAs、或InGaAs。3.如权利要求1所述的高空穴移动率晶体管，其特征在于，该能带调整层的N型掺杂浓度介于1E15/cm3至1E20/cm3之间。4.如权利要求1所述的高空穴移动率晶体管，其特征在于，该背阻挡层包括AlxGa1-xN或AlxInyGa1-x-yN，其中0<x<1及0<y<1。5.如权利要求1所述的高空穴移动率晶体管，其特征在于，该导通层包括GaN。6.如权利要求1所述的高空穴移动率晶体管，其特征在于，该掺杂层包括P型掺杂的GaN。7.如权利要求6所述的高空...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈富信，林永豪，林鑫成，林信志，黄嘉庆，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71