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本发明实施例提供一种高空穴移动率晶体管，包括：背阻挡层，位于基板上；导通层，位于背阻挡层上；通道区，位于导通层中，邻近导通层与背阻挡层的介面；掺杂层，位于导通层上；栅极电极，位于掺杂层上；源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧；及能带调...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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