The utility model belongs to the technical field of electronic components, and relates to a substrate bracket used for molecular beam epitaxy to prevent the rotation of wafer substrates, including a ring body. The center of the body is provided with an outer ring platform with a surface lower than the upper surface of the body and an inner ring platform lower than the outer ring platform. The inner ring platform is used for supporting wafer substrates, and the outer ring platform is provided with a width. A groove equal to the cutting edge of a wafer is provided with a chip card capable of contacting the cutting edge of the wafer. The substrate bracket has a trimming block which can hold the trimming edge of the wafer substrate to prevent the relative rotation between the wafer substrate and the substrate bracket, resulting in scratches on the edge of the substrate and the increase of impurity particles on the surface.
【技术实现步骤摘要】
防止晶圆衬底旋转的分子束外延用衬底托板
本技术涉及电子元器件
,特别涉及一种防止晶圆衬底旋转的分子束外延用衬底托板。
技术介绍
分子束外延(MBE)技术是一种半导体材料的外延生长技术,在超高真空腔体中,通过热蒸发、裂解多种元素的超高纯单质并形成原子或分子束流,然后在一定温度的单晶衬底上混合并以原子层级别的精度外延生长为具备特定组分的半导体材料。MBE技术在其诞生之初主要用于科学研究,而近年来随着MBE技术的发展和产业界不断深入的应用需求,MBE技术生产的半导体外延材料得到了广泛的应用。MBE生产的半导体外延片常采用4英寸甚至更大的晶圆衬底,绕转轴旋转的转动惯量较大,因此在生产过程中容易发生衬底与衬底托板之间的相对旋转,这会造成衬底边缘产生划痕及表面杂质颗粒的增多,而且晶圆切边旋转至衬底托盘上的不合适角度时,直线的切边会和圆弧状的载片台面脱离接触,形成漏热孔,从而导致衬底切边附近形成温度梯度,在生长过程中引起热应力位错线的增多及生长不均匀,将对外延片的质量构成恶劣影响。MBE使用的衬底托板对其材料纯度、洁净度和耐温性能有很高要求,需要采用高纯度的钼加工而成,并且难以设计复杂的机械结构来固定晶圆切边。目前为了防止晶圆衬底在衬底托板内旋转,采用的是载片台面带有切边的衬底托板,即载片台面边缘的形状与带切边的晶圆衬底形状一致,放入晶圆衬底后,晶圆衬底的切边和载片台面的切边贴合,晶圆衬底在载片台面上不会发生明显的相对旋转。由于衬底托板材料和衬底材料的热膨胀系数不一致,故载片台面需要设计得略大于衬底。由于晶圆衬底和带切边的衬底托板之间存在一定旷量,故还是会发生少许 ...
【技术保护点】
1.一种防止晶圆衬底旋转的分子束外延用衬底托板,其特征在于:包括环状的本体,所述本体的中心设有表面低于本体上表面的外环形台以及低于所述外环形台的内环形台,所述内环形台用于托承晶圆衬底,所述外环形台上开有一个宽度与晶圆切边相等的凹槽,所述凹槽内设有一个能接触晶圆切边的切片卡块。
【技术特征摘要】
1.一种防止晶圆衬底旋转的分子束外延用衬底托板,其特征在于:包括环状的本体,所述本体的中心设有表面低于本体上表面的外环形台以及低于所述外环形台的内环形台,所述内环形台用于托承晶圆衬底,所述外环形台上开有一个宽度与晶圆切边相等的凹槽,所述凹槽内设有一个能接触晶圆切边的切片卡块。2.根据权利要求1所述的衬底托板,其特征在于:所述切边卡块的水平面投影呈梯形,梯形的顶边长度是底边长度...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈意桥,陈超,赵曼曼,
申请(专利权)人:苏州焜原光电有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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