【技术实现步骤摘要】
一种提升外延片外圈亮度的石墨盘
本技术属于MOCVD外延片生产
,特别是一种提升外延片外圈亮度的石墨盘。
技术介绍
MOCVD是指金属有机物化学气相沉积设备,目前广泛运用于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体薄膜材料的生长。生长机理为:生长用的有机源通过载气带入反应室,适当的温度和压力下,在衬底表面进行反应,形成所需的薄膜材料。石墨盘作为衬底的载片设备,由高纯度石墨制成,并在表面包裹高质量的SiC镀层。加热单元在石墨盘下方。目前R6机型MOCVD外延石墨盘的设计为:31个4寸片槽由中心向外均匀分布在石墨盘表面,共计分为4圈,第一圈(A圈)为中心区域,1个片槽。第二圈(B圈)有6个片槽,第三圈(C圈)12个片槽,第四圈(D圈)12个片槽。每个片槽设计一致。由于D圈在最外侧,受外侧石墨盘导热效应影响,外圈外延片边缘温度偏高,容易造成D圈外侧边缘结晶质量下降及波长偏短,影响D圈整片的亮度和波长均匀性。由于目前下游芯片及封装企业对单片波长的均匀性及亮度要求较高,按目前原厂设计的石墨盘,D圈产出的外延片波长均匀性及亮度指标不能满足客户需求,造成公司产品的积压,对公司的运营状况不利。从目前正常原厂石墨盘产出的外延片分析看,D圈外延片外侧边缘波长相比中心波长要偏低15nm左右,外侧边缘亮度比中心区域偏低10%左右,由于是边缘局部异常,通过程序及温场的修改无法消除。如能通过改造石墨盘,达到改善波长均匀性及提高亮度,即可极大的提高外延片的出货率。
技术实现思路
本技术目的在于针对以上的问题,提供一种提升MOCVDR6机型4寸外延片亮度的石墨盘。本技术的技术方案:一种提升外延片外圈亮度的石墨盘, ...
【技术保护点】
1.一种提升外延片外圈亮度的石墨盘,其特征在于,所述的提升外延片外圈亮度的石墨盘为圆形石墨盘(1),在圆形石墨盘(1)上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽(2),片槽(2)上设有半环形凹槽(3);所述的半环形凹槽(3)的朝向为石墨盘(1)的外侧边缘。
【技术特征摘要】
1.一种提升外延片外圈亮度的石墨盘,其特征在于,所述的提升外延片外圈亮度的石墨盘为圆形石墨盘(1),在圆形石墨盘(1)上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽(2),片槽(2)上设有半环形凹槽(3);所述的半环...
【专利技术属性】
技术研发人员:王明军,任亮亮,祝光辉,芦玲,刘坚,
申请(专利权)人:淮安澳洋顺昌光电技术有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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