【技术实现步骤摘要】
一种具有限位圆盘的外延炉小盘基座
本技术涉及外延设备,特别是涉及一种具有限位圆盘的外延炉小盘基座。
技术介绍
外延晶片,例如碳化硅外延晶片通常是采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长。随着半导体技术的进步,产业应用对外延晶片的参数指标要求越来越高,并且外延晶片逐渐在向厚膜大尺寸方向迈进,这对于外延片厚度及浓度的均匀性提出了更高的要求。为了得到较好的片内及片间均匀性,商业化的外延炉通常采用小盘自旋转的方式进行外延生长。而且,为了在较短时间内得到更高的外延厚度,部分外延炉通过增加小盘旋转速度,使得衬底在高速旋转下进行外延生长,能够得到很快的生长速率。这些应用都对小盘基座提出了更高的要求。目前国际上的商业外延炉,如德国Aixtron公司的2400或2800系列碳化硅外延炉,碳化硅衬底放在一个尺寸稍大的小盘上,小盘采用行星式排布,围绕大盘中心公转的同时进行自旋转,能够得到较好的均匀性分布。然而,在生长过程中,小盘在设备控制器的控制下高速旋转时,不能很好的带动衬底同步动作,会引起衬底相对于小盘旋转而产生一些不可控的变量,不利于参数的调控,影响到产品的质量。
技术实现思路
本技术提供了一种具有限位圆盘的外延炉小盘基座,其克服了现有技术所存在的不足之处。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种具有限位圆盘的外延炉小盘基座,所述小盘基座中部设有用于放置圆缺形晶片衬底的可旋转圆盘,所述圆盘表面于靠近边缘处设有至少一限位块,所述限位块距离圆盘中心最近的近心侧面与圆盘的交线为直线段以配合于所述圆缺形晶片衬底的直线边外侧。可选的,包括复数个所述限位块,该些限位块的近心侧面与圆盘的交线 ...
【技术保护点】
一种具有限位圆盘的外延炉小盘基座,其特征在于:所述小盘基座中部设有用于放置圆缺形晶片衬底的可旋转圆盘,所述圆盘表面于靠近边缘处设有至少一限位块,所述限位块距离圆盘中心最近的近心侧面与圆盘的交线为直线段以配合于所述圆缺形晶片衬底的直线边外侧。
【技术特征摘要】
1.一种具有限位圆盘的外延炉小盘基座,其特征在于:所述小盘基座中部设有用于放置圆缺形晶片衬底的可旋转圆盘,所述圆盘表面于靠近边缘处设有至少一限位块,所述限位块距离圆盘中心最近的近心侧面与圆盘的交线为直线段以配合于所述圆缺形晶片衬底的直线边外侧。2.根据权利要求1所述的具有限位圆盘的外延炉小盘基座,其特征在于:包括复数个所述限位块,该些限位块的近心侧面与圆盘的交线位于所述圆盘表面的一弦线上。3.根据权利要求2所述的具有限位圆盘的外延炉小盘基座,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗金云,冯淦,赵建辉,
申请(专利权)人:瀚天天成电子科技厦门有限公司,
类型:新型
国别省市:福建,35
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