一种分子束外延生产设备中的2吋、3吋衬底托板结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种分子束外延生产设备中的2吋、3吋衬底托板结构，该托板结构包括3吋衬底托板、台阶型单元孔和2吋到3吋转换托板；16个台阶型单元孔均匀分布在3吋衬底托板内，2吋到3吋转换托板放置在3吋衬底的台阶型单元孔内；本实用新型专利技术中通过优化设计使3吋衬底托板孔数由15变为16个，增加了产出额。通过对边角料的加工利用设计出2吋到3吋转换托板，置于3吋衬底托板孔中，达到利用3吋衬底托板生长2吋外延片的目的。从而大幅降低了生产成本，提高了产品的竞争力。

A 2 \and 3\ substrate bracket in a molecular beam epitaxy production equipment

The utility model discloses a molecular beam epitaxy production equipment in the 2 and 3 inch substrate plate structure, the supporting structure includes 3 inch substrate plate, step type unit hole and 2 inches to 3 inches conversion plate; 16 step type unit holes are evenly distributed on the substrate 3 inch splint, 2 inches to 3 inch 3 inch plate placed on the substrate conversion step type unit hole; the utility model by optimizing the design of 3 inch substrate plate hole number changed from 15 to 16, increased the amount of output. Through the processing and utilization of the leftover material, we design the 2 inch to 3 Inch Conversion pallet and put it in the 3 inch substrate support hole, so as to achieve the purpose of growing 2 inch epitaxial wafer with 3 inch substrate support plate. Thus, the production cost is greatly reduced and the competitiveness of the products is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种分子束外延生产设备中的2吋、3吋衬底托板结构
本技术属于半导体设备领域，涉及一种应用于分子束外延大规模生产设备中的2吋到3吋的衬底通用托板结构。
技术介绍
分子束外延(MBE)技术作为一种原子层量级的半导体外延技术，开始主要应用于科学研究，探索新材料。相对于其他外延技术如LPE、MOCVD，MBE外延生长速率相对缓慢、单次可生长外延片尺寸小数量又少、表面缺陷密度偏大，这限制了它的应用范围及规模，很长一段时间仅作为军事用途。随着MBE生长技术和装备技术的进步，无论是外延片的性能、尺寸和生产规模都获得大幅提高，在无线通信系统得以广泛应用。目前大规模需求以4吋和6吋外延片为主，3吋次之。外延时需要将衬底放在衬底托板上送进超高真空反应炉内。衬底托板是用一种非常特殊的材料—高纯热压钼板加工而成，原材料成本极其高昂，材料硬度很高，加工成本也十分可观，所以加工订购时必须慎重考虑。2吋外延片需求量不大，但由于历史原因，相当一段时期内它的需求都会持续存在，而且价格压力也同时存在。这时如果单独为2吋外延片订购衬底托板，成本必然居高不下，不利于竞争与发展，同时也是对珍贵钼材料的一种浪费。为了降低生产成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分子束外延生产设备中的2吋、3吋衬底托板结构，其特征在于：该托板结构包括3吋衬底托板、台阶型单元孔(1)和2吋到3吋转换托板；16个台阶型单元孔(1)均匀分布在3吋衬底托板内，2吋到3吋转换托板放置在3吋衬底的台阶型单元孔内；3吋衬底的台阶型单元孔的中心上设有放置3吋衬底片台阶(2)和放置3吋片热辐射阻挡环台阶(3)；放置3吋片热辐射阻挡环台阶(3)设置在放置3吋衬底片台阶(2)上；2吋到3吋转换托板上设有放置2吋衬底片台阶(4)、放置2吋片热辐射阻挡环台阶(5)、放置3吋衬底片台阶的倒台阶(6)和放置3吋片热辐射阻挡环台阶的倒台阶(7)，放置2吋衬底片台阶(4)、放置2吋片热辐射阻挡环台...

【技术特征摘要】
1.一种分子束外延生产设备中的2吋、3吋衬底托板结构，其特征在于：该托板结构包括3吋衬底托板、台阶型单元孔(1)和2吋到3吋转换托板；16个台阶型单元孔(1)均匀分布在3吋衬底托板内，2吋到3吋转换托板放置在3吋衬底的台阶型单元孔内；3吋衬底的台阶型单元孔的中心上设有放置3吋衬底片台阶(2)和放置3吋片热辐射阻挡环台阶(3)；放置3吋片热辐射阻挡环台阶(3)设置在放置3吋衬底片台阶(2)上；2吋到3吋转换托板上设有放置2吋衬底片台阶(4)、放置2吋片热辐射阻挡环台阶(5)、放置3吋衬底片台阶的倒台阶(6)和放置3吋片热辐射阻挡环台阶的倒台阶(7)，放置2吋衬底片台阶(4)...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜全钢，谢小刚，李维刚，冯巍，姜炜，郭永平，蒋健，
申请(专利权)人：新磊半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32