用于在外延生长室中使用的基座及保持晶圆的热传导块制造技术

一种用于在外延生长室中使用的基座包括设计以保持衬底的热传导主体。主体包括第一区域、第二区域以及第三区域。第一区域从主体的外部边缘朝向主体的中央向内延伸第一宽度，第一区域具有第一高度。第二区域从第一区域的内部边缘朝向主体的中央向内延伸第二宽度，第二区域具有比第一高度低的第二高度。第三区域从第二区域的内部边缘延伸至主体的中央。第二区域包括基本上平行于衬底的底部表面的平坦表面，并且衬底的底部表面的一部分安置在平坦表面上。本发明专利技术还提供了一种保持晶圆的热传导块。

【技术实现步骤摘要】
用于在外延生长室中使用的基座及保持晶圆的热传导块
本专利技术涉及半导体领域，具体地，涉及用于在外延生长室中使用的基座及保持晶圆的热传导块。
技术介绍
外延生长步骤广泛应用于形成晶体管器件的多层或多结构。当在晶圆整个表面形成这种器件时，整个晶圆的温度分布能够影响外延层的生长速率。许多半导体工艺的一个常见的问题被称为“边缘效应”，即位于更靠近晶圆边缘的器件由于制造缺陷造成较差的成品率。由于接近晶圆边缘的生长速率变得更加剧烈，边缘效应在外延生长工艺中清楚地体现。这种效应随着晶圆尺寸的增加变得更加明显。为了抵消这种效应，在外延生长室中的不同热源可以通过更大的电流驱动，以试图“平稳”整个晶圆表面的温度分布。不幸的是，由于针对给定工艺调整热源输出，这种方案导致热源的寿命降低以及较长的生产时间。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种用于在外延生长室中使用的基座，基座包括：热传导主体，热传导主体配置成保持衬底，热传导主体包括：第一区域，第一区域从热传导主体的外部边缘朝向热传导主体的中央向内延伸第一宽度，第一区域具有第一高度；第二区域，第二区域从第一区域的内部边缘朝向热传导主体的中央向内延伸第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在外延生长室中使用的基座，所述基座包括：热传导主体，所述热传导主体配置成保持衬底，所述热传导主体包括：第一区域，所述第一区域从所述热传导主体的外部边缘朝向所述热传导主体的中央向内延伸第一宽度，所述第一区域具有第一高度；第二区域，所述第二区域从所述第一区域的内部边缘朝向所述热传导主体的所述中央向内延伸第二宽度，所述第二区域具有比所述第一高度低的第二高度；以及第三区域，所述第三区域从所述第二区域的内部边缘延伸至所述热传导主体的所述中央，其中，所述第二区域包括平行于所述衬底的底部表面的平坦表面，并且其中，所述衬底的所述底部表面的一部分安置在所述第二区域的所述平坦表面上。

【技术特征摘要】
2015.12.30 US 14/984,7321.一种用于在外延生长室中使用的基座，所述基座包括：热传导主体，所述热传导主体配置成保持衬底，所述热传导主体包括：第一区域，所述第一区域从所述热传导主体的外部边缘朝向所述热传导主体的中央向内延伸第一宽度，所述第一区域具有第一高度；第二区域，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪世玮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71