电磁感应加热外延炉的双面基座结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电磁感应加热外延炉的双面基座结构，包括表面涂覆有碳化硅涂层的石墨基座，该石墨基座的上表面具有若干个绕轴心均布的片坑，在所述石墨基座的下表面具有与每一片坑相对应的凸台。该双面基座结构可以满足常温装片，在高纯气氛条件下，外延生长温度1100℃的生产条件，提高了石墨基座温度的一致性，有效避免因为温度不一致引起的电阻率均匀性参数不一致，同时保持了衬底表面的气流一致性，提升外延主要参数一致性性能，并能改善同批次一炉内外延片左右侧的滑移线和裂片问题，提高了产品品质。

Double sided base structure of electromagnetic induction heating epitaxial furnace

The invention discloses a double base structure of an electromagnetic induction heating furnace graphite base extension, including surface coated with silicon carbide coating on the surface of the graphite base, has a plurality of axis uniform film pit boss is corresponding to each piece of the pit in the lower surface of the graphite base. The double base structure can meet the normal loading, in high pure atmosphere conditions, the epitaxial growth temperature of 1100 DEG C production conditions, improve the consistency of the graphite base temperature, avoid because of the temperature caused by the discrepancy of the resistivity uniformity parameters are not consistent, while maintaining the consistency of the airflow of the substrate surface, enhance the consistency of the performance of the main the parameters of slip line extension, and can improve the same batch furnace inside and outside the wafer side lobes and problems, improve the product quality.

【技术实现步骤摘要】
电磁感应加热外延炉的双面基座结构
本专利技术涉及半导体外延生长
中的基座结构，尤其涉及一种电磁感应加热外延炉的双面基座结构。
技术介绍
外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初。当时为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延片被广泛用于大规模集成电路中改善材料质量，是目前半导体产业的基础材料。由外延生长的Grove模型可得外延反应速率公式：其中：CT为在气体中每cm3的所有分子总数；N是形成薄膜的单位体积中的原子数，对硅外延N为5×1022每cm3；hG是质量输运系数(cm/sec)；kS是表面化学反应系数(cm/sec)，Y为在气体中反应剂分子的摩尔比值。由公式可知，当反应剂量Y一定时，生长速率v由hG和kS中较小者决定。进一步分析可知，hG质量输运系数主要影响因素为外延生长反应表面的滞留层厚度，反应气体的气流变化会影响滞留层厚度；kS表面化学反应系数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁感应加热外延炉的双面基座结构，其特征在于：包括表面涂覆有碳化硅涂层(1)的石墨基座(2)，该石墨基座(2)的上表面具有若干个绕轴心均布的片坑(3)，在所述石墨基座(2)的下表面具有与每一片坑(3)相对应的凸台(4)。

【技术特征摘要】
1.一种电磁感应加热外延炉的双面基座结构，其特征在于：包括表面涂覆有碳化硅涂层(1)的石墨基座(2)，该石墨基座(2)的上表面具有若干个绕轴心均布的片坑(3)，在所述石墨基座(2)的下表面具有与每一片坑(3)相对应的凸台(4)。2.根据权利要求1所述的电磁感应加热外延炉的双面基座结构，其特征在于：所述凸台(4)的高度与片坑(3)的深度相同。3.根据权利要求1所述的电磁感应加热外延炉的双面基座结构，其特征在于：所述凸台(4)的直径与片坑(3)的最大直径相同。4.根据权利要求1、2或3所述的电磁感应加热外延炉的双面基座结构，其特征在于：所述石墨基座(2)为6英寸平板基座，该石墨基座(2)的片坑(3)深度为0.65～0.75mm。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：施国政，金龙，
申请(专利权)人：南京国盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32