The invention belongs to the single crystal and thin film material preparation technology field, provides a bottleneck type reaction tube, and a high-throughput two-dimensional crystal furnace device matched with the bottleneck type reaction tube, to overcome the existing single crystal furnace operation is complicated, the production of single crystal quality is low and production efficiency etc.. The bottleneck of tubular reactor is cylindrical, the closed bottom, top by sealed tube sealing, the side along the vertical position is provided with a plurality of \bottleneck\ shape of the neck; at the same time, high-throughput two-dimensional device matched with the single crystal furnace comprises a furnace body, corundum, quartz tube, bottleneck reaction tube, temperature control system and the annular heating coil, heating coil is arranged in the annular nested inside the tube, and the British korund bottleneck reaction tube installed in the substrate a one-to-one relationship, and in the same horizontal position. The invention can realize high throughput preparation of high-purity and high-quality two-dimensional monocrystal, and has the advantages of simple operation, low cost and high production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种瓶颈式反应管及高通量二维单晶炉装置
本专利技术属于单晶和薄膜材料制备
,涉及一种瓶颈式反应管,以及与该瓶颈式反应管配套使用的高通量二维单晶炉装置。
技术介绍
单晶在生产应用中的地位日益显著,升华法是单晶制备的标准方法,在传统的升华法中,一般将要制备的单晶样品放置于坩埚内,并在上方设有籽晶,对坩埚内样品进行加热(一般为电感耦合加热),使样品升华,当样品接触到籽晶凝结呈三维或岛状立体外延生长得到单晶。该方法的优点在于操作简单,效率较高,但单晶的纯度无法控制;并且,难以对晶体生长面的温度进行精确控制,导致三维各个方向上生长速率不一,从而制备得晶体出现轻微的各向异性。另外,传统单晶炉的生产效率低也是其一个极大的弊端。目前,传统单晶炉外的其他常见单晶生长炉依次存在单晶炉的操作繁复、生产单晶品质低、生产效率低等缺陷;如公开号为:CN205774916U的中国技术专利中公开一种利用布立基曼法的简单单晶炉装置,该装置优点在于结构简单,但在使用过程中需要通入惰性气体,步进式系统控制生长温度温控精确度很低,生长出来的单晶无法保证高品质,且操作繁复;又如申请号为:201610796440.1的中国专利技术专利中公开了一种SiC单晶生长炉设备,该设备具有较好的温度梯度控制,所生长单晶表面的缺陷可通过再升华结晶提高了原料利用率,所生长的SiC单晶的品质较高,但制备过程中同样需要通入惰性气体,操作繁复并且生产效率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有单晶炉的操作繁复、生产单晶品质低、生产效率低等缺点,提供一种瓶颈式反应管、以及与该瓶颈式反应管配套使用的高通量二维单晶 ...
【技术保护点】
一种瓶颈式反应管,其特征在于,所述瓶颈式反应管呈圆筒状,其底部封闭,顶部采用封管密封,其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部。
【技术特征摘要】
1.一种瓶颈式反应管,其特征在于,所述瓶颈式反应管呈圆筒状,其底部封闭,顶部采用封管密封,其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部。2.按权利要求1所述瓶颈式反应管,其特征在于,所述瓶颈式反应管为真空封管,其中,原料置于底部,基片水平安装于颈部。3.按权利要求1所述瓶颈式反应管,其特征在于,所述“瓶颈”形颈部的数量为7~15个,相邻颈部之间的间距为12cm~15cm。4.按权利要求1所述瓶颈式反应管,其特征在于,所述瓶颈式反应管的外径为17~25mm;所述“瓶颈”形颈部的直径最小处的直径为3mm~15mm。5.高通量二维单晶炉装置,包括:炉体(1)、刚玉石英管(2)、瓶颈式反应管(3)、温控系统(5)及环形加热圈(6);其特征在于,所述刚玉石英管(2)设...
【专利技术属性】
技术研发人员:简贤,张万里,张文旭,尹良君,唐辉,饶高峰,李言荣,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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