伯努利基座制造技术
Bernoulli base
The invention provides a Bernolli base, comprising a supporting column and is positioned on the supporting platform for supporting column, the wafer supporting platform, the platform is arranged in the gas channel, the support of several air holes are on the surface of the platform settings, the gas hole and the gas passage; the support column is arranged in the gas entrance, for gas is fed to the gas channel, so that the gas through the pores into the base wafer surface and the Bernoullis, avoid direct contact with the Bernolli wafer base, so as to avoid the growth of some defects due to the wafer and the base contact in the process of extension to improve the quality of silicon, epitaxial silicon, and improve the performance of semiconductor devices.
【技术实现步骤摘要】
伯努利基座
本专利技术涉及半导体装置领域，特别涉及一种伯努利基座。
技术介绍
外延工艺是半导体制造过程中十分重要的一道工序，随着半导体器件的不断缩小，外延硅的质量对半导体器件的影响越来越大。但是，在外延硅的生长过程中不可避免的会遇到各种缺陷，例如：位错滑移(slipdislocation)、背部沉积(backsidedeposition)、自掺杂(autodoping)等，这些缺陷会导致最终形成的半导体器件性能的下降。位错滑移主要是由于局部应力超过硅的抗曲强度造成的，例如：(1)在晶圆内部径向温度的不均匀性造成的热应力，不均匀的热膨胀会造成晶圆内一些硅键的断裂，导致一些硅原子被临近的原子所取代；(2)由于接触面积及晶圆的重量造成的接触应力；(3)由于重力造成的弯曲应力。其中，热应力是造成位错滑移的主要因素。背部沉积造成衬底表面不均匀，从而影响后续光刻步骤的精度。背部沉积主要由以下几个因素造成：(1)如图1所示，在晶圆10的装载过程中，由于晶圆10未与基座20完全对准，导致在外延硅生长过程中反应气体进入晶圆10与基座20的间隙，在晶圆10背部形成硅沉积30；(2)如...
【技术保护点】
一种伯努利基座，包括支撑柱以及位于所述支撑柱上的支撑平台，所述支撑平台用于支撑晶圆，其特征在于，所述支撑平台内设置有气体通道，所述支撑平台的上表面设置有若干个气孔，所述气孔与所述气体通道连通；所述支撑柱内设置有气体入口，用于向所述气体通道内通入气体。
【技术特征摘要】
1.一种伯努利基座，包括支撑柱以及位于所述支撑柱上的支撑平台，所述支撑平台用于支撑晶圆，其特征在于，所述支撑平台内设置有气体通道，所述支撑平台的上表面设置有若干个气孔，所述气孔与所述气体通道连通；所述支撑柱内设置有气体入口，用于向所述气体通道内通入气体。2.如权利要求1所述的伯努利基座，其特征在于，所述若干个气孔中第一部分气孔与所述气体通道直接连通，第二部分气孔通过所述第一部分气孔与所述气体通道连通。3.如权利要求2所述的伯努利基座，其特征在于，所述若干个气孔在所述支撑平台上构成多个类似图形，每个所述图形上的气孔相连通，每个所述图形上均有气孔与所述气体通道直接连通。4.如权利要求3所述的伯努利基座，其特征在于，所述图形为圆环。5.如权利要求4所述的伯努利基座，其特征在于，多个圆环为直径各异的同心圆环。6.如权利要求5所述的伯努利基座，其特征在于，所述支撑平台内设置有一个气体通道，所述气体通道连通多个圆环上经过圆心的相互垂直的两个方向上的气孔。7.如权利要求5所述的伯努...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘源，保罗·邦凡蒂，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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