一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其包括：主转动盘，该主转动盘上开设有若干托盘槽；若干用于承载SiC晶片的卫星盘，其以可转动的方式安装于托盘槽中；支撑杆，其上端与主转动盘固定；主转动盘中设有若干分别位于托盘槽下方的隧道，主转动盘底部设置有贯穿隧道的垂直孔道，支撑杆中设置的贯穿的腔道与垂直孔道对接，托盘槽底部向下开设有至少两个倾斜状态并与隧道连通的倾斜孔；腔道与垂直孔道、隧道及倾斜孔形成连通托盘槽的气通道，气通道流入气体后，气体通过倾斜孔后驱动卫星盘自转。由于卫星盘可自转，以此有利于提高SiC晶片外延生长包括厚度与掺杂浓度在内的片内均匀性和片间均匀性，以满足不同的使用要求。

【技术实现步骤摘要】
一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构
：本技术涉及制造碳化硅外延晶片用高温设备
，特指一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构。
技术介绍
：大面积、高质量SiC(碳化硅)外延生长是新一代宽禁带SiC功率半导体制造的一项关键技术，是SiC功率半导体进行产业化制造的最小尺寸，它代表了目前SiC外延技术的主流与发展方向。国际上的三家主要SiC外延设备供应商分别是德国Aixtron公司、意大利LPE公司和日本TEL公司，在其提供的商用SiC外延设备中，外延生长室分别采用了不锈钢6英寸多片(6片和8片)“温壁”结构、水平式石英管6英寸单片“热壁”结构、和水平式石英管6英寸三片“热壁”结构。我们知道SiC半导体主要用于制造高压功率器件，因而需要较厚的SiC外延层厚度，生长室具有“热壁”结构的SiC外延设备是6英寸高质量SiC外延晶片材料生长的主要设备。虽然单片6英寸SiC外延生长系统可以获得较高质量的SiC厚外延层材料，如较低的表面缺陷密度，10kV与20kV级SiC功率器件用100微米与200微米厚漂移层材料、较低的表面粗糙度、较高的载流子寿命等，但其产能比较有限。为了满足高压、超高压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：其包括：主转动盘(1)，该主转动盘(1)上开设有若干托盘槽(11)；若干用于承载SiC晶片的卫星盘(2)，其以可转动的方式安装于该主转动盘(1)的托盘槽(11)中；支撑杆(3)，其上端与主转动盘(1)固定；所述主转动盘(1)中设置有若干分别位于托盘槽(11)下方的隧道(12)，且该主转动盘(1)底部设置有贯穿隧道(12)的垂直孔道(13)，所述支撑杆(3)中设置的贯穿的腔道(31)与垂直孔道(13)对接，所述托盘槽(11)底部向下开设有至少两个倾斜状态并与隧道(12)连通的倾斜孔(14)；该腔道(31)与垂直孔道(13)、隧道(12)及倾斜孔...

【技术特征摘要】
1.一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：其包括：主转动盘(1)，该主转动盘(1)上开设有若干托盘槽(11)；若干用于承载SiC晶片的卫星盘(2)，其以可转动的方式安装于该主转动盘(1)的托盘槽(11)中；支撑杆(3)，其上端与主转动盘(1)固定；所述主转动盘(1)中设置有若干分别位于托盘槽(11)下方的隧道(12)，且该主转动盘(1)底部设置有贯穿隧道(12)的垂直孔道(13)，所述支撑杆(3)中设置的贯穿的腔道(31)与垂直孔道(13)对接，所述托盘槽(11)底部向下开设有至少两个倾斜状态并与隧道(12)连通的倾斜孔(14)；该腔道(31)与垂直孔道(13)、隧道(12)及倾斜孔(14)形成连通托盘槽(11)的气通道，该气通道流入气体后，气体通过倾斜孔(14)后驱动卫星盘(2)自转。2.根据权利要求1所述的一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：所述卫星盘(2)下端面中心位置成型有支轴(21)，所述托盘槽(11)底部中心位置设置有轴孔(111)，该支轴(21)嵌入轴孔(111)中。3.根据权利要求1所述的一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其特征在于：所述托盘槽(11)的数量为三个，其沿夹角为120°的三个径向方向且距主转动...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙国胜，杨富华，宁瑾，刘兴昉，赵永梅，王占国，孔令沂，萧黎鑫，
申请(专利权)人：东莞市天域半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44