【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法、用于生产具有外延层的半导体晶片的设备和具有外延层的半导体晶片本专利技术涉及用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法、用于生产具有外延层的半导体晶片的设备和具有外延层的半导体晶片。通常通过汽相沉积(化学汽相沉积，CVD)生产具有外延层的半导体晶片。此类方法包括将衬底晶片放置于基座上并在高温下引导沉积气体通过沉积室。外延层生长在被沉积气体扫过的衬底晶片的表面上。所述表面通常是水平设置的衬底晶片的正面。除了包括被设计用于加工单个衬底晶片的沉积室之外，常规沉积系统还包括至少一个装载锁定室(loadlockchamber)，在沉积外延层之前从所述装载锁定室将衬底晶片运输至所述沉积室中，并且在沉积外延层之后将具有外延层的半导体晶片运输至所述装载锁定室中，以允许其在此处冷却。使用计算机控制的运输工具方便地实现运输过程。此类沉积系统描述于例如EP0800203A2中。US2008/0118712A1描述了用于生产具有外延层的半导体晶片的方法，其中使用两部件基座。一个部件是通过具有放置区域的环形成的，所述放置区域用于以衬底晶片的背...
【技术保护点】
1.一种用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法，其包括：将衬底晶片以所述衬底晶片的背面的边缘区域放置至基座的放置区域上；通过以下方式用所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片装载所述沉积室：接触所述基座，并且将所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片从装载锁定室运输至所述沉积室中；在所述衬底晶片上沉积外延层；通过以下方式卸载所述沉积室：接触所述基座，并将所述基座和具有外延层的半导体晶片从所述沉积室运输至所述装载锁定室中，所述半导体晶片已在沉积所述外延层的过程中被生产并且位于所述基座上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.01 DE 102015223807.51.一种用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法，其包括：将衬底晶片以所述衬底晶片的背面的边缘区域放置至基座的放置区域上；通过以下方式用所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片装载所述沉积室：接触所述基座，并且将所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片从装载锁定室运输至所述沉积室中；在所述衬底晶片上沉积外延层；通过以下方式卸载所述沉积室：接触所述基座，并将所述基座和具有外延层的半导体晶片从所述沉积室运输至所述装载锁定室中，所述半导体晶片已在沉积所述外延层的过程中被生产并且位于所述基座上。2.根据权利要求1所述的方法，其包括：在所述具有外延层的半导体晶片的温度不小于650℃的时间点卸载所述沉积室。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其包括：在向所述衬底晶片上沉积所述外延层的过程期间，在所述装载锁定室中提供另外的衬底晶片，用于将所述另外的衬底晶片运输至所述沉积室中。4.一种用于生产具有外延层的半导体晶片的设备，其包括：沉积室；装载锁定室；基座，其具有放置区...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·莫斯，R·绍尔，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。