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用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法、用于生产具有外延层的半导体晶片的设备和具有外延层的半导体晶片技术
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下载用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法、用于生产具有外延层的半导体晶片的设备和具有外延层的半导体晶片的技术资料
文档序号:18822902
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本发明涉及一种方法,其包括将衬底晶片以所述衬底晶片的背面的边缘区域放置至基座的承载面上;通过以下方式用所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片装载所述沉积室:接触所述基座,并且将所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片从装载锁定室运输至所述沉积...
该专利属于硅电子股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过硅电子股份公司授权不得商用。
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