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苏州焜原光电有限公司专利技术
苏州焜原光电有限公司共有49项专利
标定InGaxAs/InAsSby超晶格组分的方法技术
本发明提供了一种标定InGaxAs/InAsSby超晶格组分的方法,通过生长两套周期不同的InGaxAs/InAsSby超晶格和两套周期不同的InGaAs/InAsSb/InAs超晶格得到InAs和GaAs的生长速率以及元素组分。其中,...
分子束外延生长InGaAs/InP的界面处理方法技术
本发明提供了一种分子束外延生长InGaAs/InP的界面处理方法,用以在InP材料上生长InGaAs外延层以及在InGaAs材料上生长InP外延层,本发明所述的分子束外延生长InGaAs/InP的界面处理方法,通过引入薄InP或InGa...
一种分子束外延生长方法及气态锑源供给装置制造方法及图纸
本发明提供了一种分子束外延生长方法及气态锑源供给装置,其采用锑烷作为气态锑源进行分子束外延生长,其中,锑烷包括SbH<subgt;3</subgt;及SbD<subgt;3</subgt;,具体包括:S1、使锑烷...
一种超晶格材料生长界面控制方法技术
本超晶格材料生长界面控制方法
一种制造技术
本发明提供一种
一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法技术
本发明提供一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法,包括如下步骤:S1、去除砷化镓衬底表面的氧化层,得到新鲜的GaAs表面;S2、生长一层GaAs缓冲层,以平滑脱氧后GaAs表面;S3、依次生长多层由数字合金GaAs/GaAsP
一种减震装置及低温泵设备制造方法及图纸
本发明涉及一种减震装置及低温泵设备,包括连接单元,其包括第一连接件和第二连接件;减震单元,其包括内波纹管和至少一个外波纹管,所述内波纹管的管径小于所述外波纹管的管径,所述第一连接件和第二连接件分别设置在所述内波纹管的两端,所述外波纹管套...
一种AlGaAsSb虚拟衬底及半导体制备方法技术
本发明涉及一种AlGaAsSb虚拟衬底及半导体制备方法,所述虚拟衬底位于GaAs衬底与周期性材料层之间,所述周期性材料层为交替生长的InAs材料和GaSb材料;所述虚拟衬底的晶格常数d=(d1*x+d2*y)/(x+y),其中,x为单个...
用于分子束外延腔体中的磷回收单元、系统及回收方法技术方案
本发明涉及一种用于分子束外延腔体中的磷回收单元、系统及回收方法,其中用于分子束外延腔体中的磷回收单元包括:磷回收模块,磷回收模块内部形成磷回收腔体,磷回收腔体连接有第一通道,第一通道用于连接MBE系统腔体,第一通道上设置有第一隔离元件;...
一种蓝宝石衬底分子束外延红外探测器材料制备方法技术
本发明公开了一种蓝宝石衬底分子束外延红外探测器材料制备方法,包括:提供一面为图形化而另一面为微透镜阵列结构的蓝宝石衬底,在图形化面上依次生长成核层、过渡层、N型重掺杂接触层、吸收层、势垒层和N型重掺杂接触层。与GaSb和InAs衬底相比...
应用于分子束外延设备的扩散泵控制系统及真空系统技术方案
本发明涉及一种应用于分子束外延设备的扩散泵控制系统,包括扩散泵、插板阀、真空传感器和温度传感器,扩散泵抽气口与分子束外延设备的真空反应室连接,扩散泵具有前级真空管路,扩散泵通过前级真空管路连接机械泵;插板阀设置于真空反应室与扩散泵之间;...
一种分子束外延低铝组分铝镓砷材料的组分校准方法技术
本发明涉及一种分子束外延低铝组分铝镓砷材料的组分校准方法,其中铝元素及镓元素的组分含量满足Al
真空互联传样系统及其传样方法技术方案
本发明涉及一种真空互联传样系统及其传样方法,其中系统包括多个通过插板阀隔断的MBE生长室、MBE缓冲室、真空互联室、MOCVD装载室和MOCVD生长室;其中,真空互联室内设有真空控制模块、圆心校正模块和取样机械手;真空控制模块控制和保持...
光敏元环形分布双波段超晶格探测器芯片组件及制备方法技术
本发明公开了一种光敏元环形分布双波段超晶格探测器芯片组件及制备方法,芯片组件包括双波段叠层超晶格芯片和多个光敏元;多个光敏元环形分布于双波段叠层超晶格芯片上,光敏元按四象限对称环形分布,且光敏元数量是4的整数倍。本发明采用多个光敏元环形...
一种锑化镓外延片去除外延层的方法技术
本发明提供了一种锑化镓外延片去除外延层的方法,包括如下步骤:S1、对锑化镓外延片进行厚度分选;S2、对分选后厚度一致的锑化镓外延片进行打磨,直至完全去除异质外延层后停止,得到完全暴露出同质外延层的第一外延片;S3、将第一外延片浸入酸性腐...
一种用于分子束外延锑化镓衬底的表面处理方法技术
本发明涉及一种用于分子束外延锑化镓衬底的表面处理方法,属于半导体晶片抛光技术领域。本发明所述的处理方法包括以下步骤,利用中性去蜡液对化学机械抛光后的锑化镓晶片进行去蜡处理;后利用酸性腐蚀液对半产品进行腐蚀处理;所述酸性腐蚀液按体积分数计...
一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格材料及其生长方法和应用技术
本发明属于半导体材料领域,具体涉及一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格材料及其生长方法和应用。该超晶格材料包括依次堆叠的若干In
一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料制造技术
本发明属于半导体材料领域,具体涉及一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料。该红外探测器材料包括依次设置的InAs缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、过渡层和上接触层;所述下接触层和上接触层采用N型In
一种用于分子束外延InAs衬底的表面处理方法技术
本发明属于化合物半导体晶片抛光技术领域,具体涉及一种用于分子束外延InAs衬底的表面处理方法。该方法包括化学机械抛光和表面硫化钝化处理,其中,化学机械抛光采用包含胶体二氧化硅、弱碱性氧化剂、有机钠盐、pH调节剂和水的碱性抛光液。本发明较...
一种自动校准式XRD四晶单色仪及校准装置制造方法及图纸
本实用新型是针对现有的XRD四晶单色仪自动校准装置通过激光校准当改用X光工作时,无法确保光源的准直性且手动校准误差大不能保证校准精度的技术问题,提供一种自动校准式XRD四晶单色仪及校准装置,此校准装置包括样品平台,包括两个伺服马达,样品...
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