本实用新型属于电子元器件技术领域，涉及一种InSb薄膜转移装置，包括依次连接的进样反转室、薄膜转移室以及伸缩压力装置；所述薄膜转移室内设有光学载台、位于所述光学载台之上的石英压块和驱动所述石英压块下压的第一气缸；所述进样反转室包括能够伸...

本实用新型属于半导体技术领域，涉及一种半导体制冰装置，包括具有内腔的壳体，所述内腔中由上至下依次设置有散热端硅脂垫、半导体和制冷端硅脂垫，所述壳体的前端设置有与半导体电性连接的接线柱，且壳体的外端设置有液冷管，且液冷管的左端设置有出液管...

本实用新型属于电子元器件技术领域，涉及一种分子束外延系统的双密封插板阀，连接于低温泵与真空腔室之间，包括具有两个法兰接口的阀体、位于前一个法兰接口内的第一阀板和位于后一个法兰接口内的第二阀板，所述第一阀板和所述第二阀板在驱动装置的作用下...

本实用新型属于电子元器件技术领域，涉及一种防止晶圆衬底旋转的分子束外延用衬底托板，包括环状的本体，所述本体的中心设有表面低于本体上表面的外环形台以及低于所述外环形台的内环形台，所述内环形台用于托承晶圆衬底，所述外环形台上开有一个宽度与晶...

本实用新型属于电子元器件技术领域，涉及一种分子束外延系统的进样装置，包括与MBE进样室连接的操作室和设在所述操作室上的过渡舱；所述MBE进样室与所述操作室之间具有可开关的室门；所述操作室具有两个面向大气的操作口，所述操作口的内侧设有将操...

本发明属于电子元器件技术领域，涉及一种InSb薄膜转移装置，包括依次连接的进样反转室、薄膜转移室以及伸缩压力装置；所述薄膜转移室内设有光学载台、位于所述光学载台之上的石英压块和驱动所述石英压块下压的第一气缸；所述进样反转室包括能够伸入所...

本发明提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，步骤一：在高真空腔室中，执行材料的生长；步骤二：对于需要提高材料质量的部分，在生长过程进行到该部分时，开启原子氢源的束流覆盖材料表面，原子氢源的激发功率为50‑200W，期间的真空度为1×10

本发明锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法，步骤一：将样品装入高真空腔室，真空度高于1×10

本发明一种超晶格红外探测器表面钝化方法，步骤一：取已完成台面刻蚀而未经钝化的超晶格材料样品，清洗后将样品装入高真空腔室中，真空度高于10

本发明一种中长波红外波段II类超晶格，包括多个超晶格原胞重复堆叠而成，超晶格原胞包括GaSb层、第一InSb层、第一InAs层、InxGa1‑xAs层、第二InAs层、第二InSb层，InxGa1‑xAs层位于第一InAs层与第二InA...