提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法技术

本发明专利技术提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，步骤一：在高真空腔室中，执行材料的生长；步骤二：对于需要提高材料质量的部分，在生长过程进行到该部分时，开启原子氢源的束流覆盖材料表面，原子氢源的激发功率为50‑200W，期间的真空度为1×10

Methods to improve the quality of antimony based class II superlattice materials

The invention improves antimonide based type method, superlattice material quality: a step in a high vacuum chamber, execution of material growth; step two: the need to improve the quality of the materials, to the part in the growth process, open source atomic hydrogen beam covering material surface excitation the power source of atomic hydrogen is 50 200W, during the vacuum of 1 x 10

【技术实现步骤摘要】
提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法
本专利技术属于半导体材料与器件
，具体是一种提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，它可被应用于锑化物基Ⅱ类超晶格相关材料的高质量制备。
技术介绍
基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的锑化物基Ⅱ类超晶格材料是一种新型的红外探测器材料，能同时满足第三代红外探测器对高探测率、大面阵、多波段、低功耗、低成本等要求，因此成为了第三代红外探测器材料的最佳选择而被国际上广泛看好。锑化物基Ⅱ类超晶格是由两种或以上的基于InAs、GaSb的二元或多元化合物半导体薄层，按一定的设计顺序周期性地重复沉积而成。在超晶格材料(尤其是p-i-n结构探测器件的i层)中，杂质与缺陷会散射载流子、影响少子寿命，对其电学性能影响显著。另一方面，由于在超晶格的生长过程中腔室里的As分压和Sb分压较高，在这两种Ⅴ族源频繁交替切换的过程中，生长的超晶格各层之间的界面容易发生As、Sb元素互混，降低两种材料界面处的纯度，从而降低界面质量。因此，要提高锑化物基Ⅱ类超晶格红外探测器的探测率、良品率和稳定性，必须设法在超晶格材料的生长过程中提高其纯度及界面质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提高锑本文档来自技高网...

【技术保护点】
提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤一：在高真空腔室中，执行材料的生长；步骤二：对于需要提高材料质量的部分，在生长过程进行到该部分时，开启原子氢源的束流覆盖材料表面，原子氢源的激发功率为50‑200W，期间的真空度为1×10

【技术特征摘要】
1.提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤一：在高真空腔室中，执行材料的生长；步骤二：对于需要提高材料质量的部分，在生长过程进行到该部分时，开启原子氢源的束流覆盖材料表面，原子氢源的激发功率为50-200W，期间的真空度为1×10-8-1×10-6Torr；步骤三：高质量材料的部分生长完毕后，关闭原子氢源，之后可继续执行后续的材料生长工艺。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈意桥，
申请(专利权)人：苏州焜原光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32