HBC 型结晶太阳能电池的制造方法及HBC 型结晶太阳能电池技术

本发明专利技术提供HBC型结晶太阳能电池的制造方法及HBC型结晶太阳能电池。该方法按顺序具备以下工序：使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧按顺序重叠形成由i型非晶Si层α、与第一导电型不同的导电型的非晶Si层β和第一金属层构成的三层；通过利用掩膜的蚀刻法至少全部去除非晶Si层β和第一金属层而形成凹部；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型非晶Si层γ；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式形成与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层δ；和以填满由所述非晶Si层δ覆盖而成的凹部内的方式形成第二金属层。

The manufacturing method of HBC type crystalline solar cell and HBC type crystalline solar cell

The invention provides a manufacturing method of a HBC type crystalline solar cell and a HBC type crystalline solar cell. This method has the following steps: sequentially using substrate composed of a first conductivity type silicon substrate, in relation to the other side in the side and opposite side of the incident light according to the order of overlapping three layer is formed by I type amorphous Si layer and a first conductive type, a different conductivity type of the amorphous Si layer and beta the first metal layer; by using the etching mask at least completely remove the amorphous Si layer and the first metal layer and the formation of beta recess; through the use of membrane into the mask, to cover the concave portion of the inner bottom and the inner side of the formed I type amorphous Si layer gamma by using the film forming method; the mask, the amorphous Si layer delta is set to cover the recess of the inner bottom surface and inner side of the amorphous Si layer of the same conductivity type gamma is formed and the first conductive type; and to fill by the amorphous Si layer. A concave cover The second metal layer is formed in the mode of the part.

【技术实现步骤摘要】
HBC型结晶太阳能电池的制造方法及HBC型结晶太阳能电池
本专利技术涉及能够实现制造工序的简单化并能够稳定地获得俯视时相邻的电极之间的独立(孤立)性的HBC型结晶太阳能电池的制造方法及HBC型结晶太阳能电池。
技术介绍
以往，已知在以结晶硅为基板的太阳能电池(以下，也称作结晶太阳能电池)中，背接触型太阳能电池能够获得高发电效率。其中，经确认异质结类型的背接触型(HBC型)结晶太阳能电池拥有世界上最高的发电效率，从多方面备受瞩目。在这种HBC型结晶太阳能电池中，在硅基板的背面(位于光入射面的相反侧的面)上经由i型非晶Si层分别局部配置有由n型非晶Si层构成的部位和由p型非晶Si层构成的部位，并且被构成为相互分离。已知为了获得这种结构而经由如图20所示的工序来制造HBC型结晶太阳能电池(例如，专利文献1的现有技术等)。图20是表示现有的HBC型结晶太阳能电池所涉及的制造方法的一例的示意性剖视图。即，在图20的(a)中，在硅1001的一面上成膜i型非晶Si层1002和n型非晶Si层1003。在图20的(b)中，在n型非晶Si层1003上形成具有期望的图案的光致抗蚀剂1004。在图20的(c本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α、与所述第一导电型不同的导电型的非晶Si层β和第一金属层构成的三层的工序；通过利用掩膜的蚀刻法，至少全部去除所述非晶Si层β和所述第一金属层而形成凹部的工序；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型的非晶Si层γ；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式，形成与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层δ的工序；和以填满由所述非晶Si层δ覆盖而成的凹部内的方...

【技术特征摘要】
2016.07.12 JP 2016-1374521.一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α、与所述第一导电型不同的导电型的非晶Si层β和第一金属层构成的三层的工序；通过利用掩膜的蚀刻法，至少全部去除所述非晶Si层β和所述第一金属层而形成凹部的工序；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型的非晶Si层γ；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式，形成与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层δ的工序；和以填满由所述非晶Si层δ覆盖而成的凹部内的方式形成第二金属层的工序。2.一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α和与所述第一导电型不同的导电型的非晶Si层β构成的两层的工序；通过利用掩膜的蚀刻法至少全部去除所述非晶Si层β而形成凹部的工序；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型的非晶Si层γ的工序；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式，形成与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层δ的工序；和在所述非晶Si层β和所述非晶Si层δ上形成金属层的工序。3.一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α、与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层β和第一金属层构成的三层的工序；通过利用掩膜的蚀刻法至少全部去除所述非晶Si层β和所述第一金属层而形成凹部的工序；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型非晶Si层γ的工序；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式形成与所述第一导电型不同的导电型的非晶Si层δ的工序；和以填满由所述非晶Si层δ覆盖而成的凹部内的方式形成第二金属层的工序。4.一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α和与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层β构成的两层的工序；通过利用掩膜的蚀刻法至少全部去除所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：松崎淳介，高桥明久，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本,JP