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本发明提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，步骤一：在高真空腔室中，执行材料的生长；步骤二：对于需要提高材料质量的部分，在生长过程进行到该部分时，开启原子氢源的束流覆盖材料表面，原子氢源的激发功率为50‑200W，期间的真空度为1×10...
该专利属于苏州焜原光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州焜原光电有限公司授权不得商用。

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