苏州焜原光电有限公司专利技术

苏州焜原光电有限公司共有49项专利

  • 本发明公开了一种无应力层的二类超晶格红外探测器及制备方法,包括依次设置的P型电极、电子势垒层、吸收层、空穴势垒层和N型电极;其中,所述吸收层采用InAsSb/GaSb超晶格,所述空穴势垒层采用InAsSb/AlAsSb超晶格。本发明各层...
  • 本发明公开了一种超晶格中长波双波段红外探测器芯片制备方法,包括提供衬底,在衬底上生长双波段叠层锑化物超晶格材料,对双波段叠层探测器芯片的高台面进行复合钝化工艺,钝化时,包括提供阳极硫化电解液,阳极硫化电解液包括混合的无水硫化钠和二甲基亚...
  • 本发明针对现有技术中采用湿法刻蚀晶片时,晶片的横向腐蚀大,使得晶片光敏面积缩减小晶片的响应度下降的不足,提供一种能减轻晶片横向腐蚀程度的刻蚀方法,具体如下:采用多次纵向腐蚀多次涂光刻胶的方法对晶片进行湿法刻蚀,将总的纵向腐蚀量分成N次,...
  • 本发明公开了一种InAs/Al
  • 本实用新型是针对采用现有基片生长架进行分子束外延生长时衬底在半径方向上受热和源炉束流不均匀的不足提供一种分子束外延生长装置用的基片支架和衬底托盘,衬底托盘的盘本体上设置有主动齿轮和至少一个被动齿轮,主动齿轮带动被动齿轮转动,分子束外延生...
  • 本实用新型是针对现有技术中固定GaSb衬底的方法存在的易使衬底软化、衬底的温度均匀性不易保证的不足,提供分子束外延系统中GaSb衬底安装固定用样品架,样品架包括筒体、钽片和压紧固定装置,在筒体内表面设置有支撑结构,钽片设置在支撑结构上,...
  • 本发明针对现有技术中,检测装置对不稳定液面不能准确测量液位、对液氮进行气液分离时,无法精确控制分离器中液氮进液量的不足,提供一种液位检测装置、液氮循环系统及其液位控制装置,液位检测装置包括导向件、浮子、检测器,浮子包括通过弹性部件连接的...
  • 本发明是针对现有势垒型器件在吸收层和势垒层存在一个较高的价带带阶,使得空穴在运动过程中受到价带势垒的阻碍,使量子效率降低的不足,提供一种数字合金AlAsSb材料及数字合金中波红外探测器,此数字合金在一层厚度为d1的AlSb材料上,生长一...
  • 本发明是针对采用现有技术CMP工艺对锑化镓等较软的半导体材料抛光时抛光磨料、抛光液中含有的金属离子等易附着在被抛光物的表面,使抛光物表面产生划痕、抛光液的寿命低的不足,提供一种半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液,方法是对莫...
  • 本发明是针对现有技术中固定GaSb衬底的方法存在的易使衬底软化、衬底的温度均匀性不易保证的不足,提供分子束外延系统中GaSb衬底的安装固定方法及所用的样品架,样品架包括筒体、钽片和压紧固定装置,筒体和压紧固定装置均为在超高真空下不挥发,...
  • 本实用新型针对现有技术中,在衍射过程中固定RHEED屏幕时,无法对屏幕进行替换,一种型号的框架对应一种型号的屏幕,增加成本,同时,容易造成电荷堆积的问题,提供一种应用于MBE系统的荧光屏固定夹具,该夹具包括环形夹具主体,夹具主体上设置有...
  • 本发明针对采用现有技术生产工艺制备小尺寸的超晶格红外探测器时完成刻蚀步骤后需要将器件从前一个真空系统中取出,将器件暴露在大气中去除光刻胶,而后将器件放到下一个真空系统中进行原子层刻蚀清理、原子层钝化,使得器件暗电流较大,生产效率低,造成...
  • 本发明是针对采用现有技术液态气体循环系统对液态气体进行循环时回液管的回流液进入到分离器时造成液面剧烈沸腾使液面产生大的波动,使液面不易控制的不足,提供一种液态气体循环系统,它包括输液管道、回液管、分离器、排气管,输液管道包括进液管和出液...
  • 本发明针对采用现有技术氦气充装方法和设备进行氦气充装时使得氦气的纯度降低,造成氦气压缩机性能低、寿命低,运行成本高的不足,提供一种气体充装系统及充装方法,该发明在供气管道的与供气容器相连接的一端设置有调压阀、过滤器和隔离阀一,在与被充装...
  • 本发明属于电子元器件制造技术领域,涉及一种AlGaAsSb四组分材料的生长方法,步骤包括将将InP衬底装入MBE系统的生长室,加热去除衬底表面残余的氧化层,生长一层与InP衬底晶格匹配的缓冲层,在缓冲层的基础上生长由两层超薄材料构成的A...
  • 本发明属于电子元器件制造技术领域,涉及一种多节太阳能电池制造方法,步骤包括将将InP衬底装入MBE系统的生长室,加热去除衬底表面残余的氧化层,然后依次形成缓冲层、底电极、光吸收层、顶层节、发射极和顶电极,其中光吸收层的禁带宽度由下往上依...
  • 本实用新型属于电子元器件技术领域,涉及一种分子束外延系统使用的衬底托板,包括轴向穿透的本体,所述本体的中心设有表面低于本体上表面的环形台以及低于环形台的台面,所述台面的外边缘高于其内边缘。本衬底托板能缩减衬底与载片台阶接触面积,有效减少...
  • 本实用新型属于电子元器件技术领域,涉及一种用于MBE设备的载片夹具,包括基板、在基板上围绕一个中心设置的若干夹持装置以及被夹持装置夹住的载片,所述载片上设有多个收容槽。这种载片夹具结构简单,占用空间小,不光可以夹持圆形的MBE产品,还可...
  • 本实用新型属于半导体镀膜技术领域,涉及一种用于半导体激光器的镀膜夹具,包括方框形的盖板框和固定于盖板框上方的U型基体,所述U型基体面向盖板框一面的内壁上设有一个台阶槽,有一个T形板能顺着台阶槽滑入盖板框与U型基体之间,所述T形板包括可被...
  • 本实用新型属于电子元器件技术领域,涉及一种InSb薄膜转移装置,包括依次连接的进样反转室、薄膜转移室以及伸缩压力装置;所述薄膜转移室内设有光学载台、位于所述光学载台之上的石英压块和驱动所述石英压块下压的第一气缸;所述进样反转室包括能够伸...