分子束外延系统中固定GaSb衬底的方法及样品架技术方案

本发明专利技术是针对现有技术中固定GaSb衬底的方法存在的易使衬底软化、衬底的温度均匀性不易保证的不足，提供分子束外延系统中GaSb衬底的安装固定方法及所用的样品架，样品架包括筒体、钽片和压紧固定装置，筒体和压紧固定装置均为在超高真空下不挥发，不放出气体的材质，在筒体内表面设置有支撑结构，钽片设置在支撑结构上，压紧固定装置位于钽片上方将钽片固定在筒体内，采用本发明专利技术方法固定GaSb衬底，先将Ga液涂在中间材料上，再通过中间材料将Ga液均匀涂在钽片上，巧妙地解决了Ga液浸润性较差、不易均匀的涂抹在钽片与GaSb衬底之间的难题，将GaSb衬底均匀、稳固的粘在了钽片上，最终解决了GaSb衬底温度均匀性问题，为实现高质量Sb化物材料的生长提供了基础。

【技术实现步骤摘要】
分子束外延系统中固定GaSb衬底的方法及样品架
本专利技术涉及分子束外延系统中GaSb衬底的安装固定方法及所用的样品架。
技术介绍
分子束外延设备中，衬底的加热主要是通过与衬底平行的加热器热辐射加热。衬底加热器与衬底之间存在热辐射场梯度，衬底加热器平面上的温度场也存在不均匀性，这些因素会导致衬底温度不均匀。生长过程中通常将衬底设置在样品架上，该样品架为托盘，通过旋转衬底托盘使衬底托盘比较均匀受热从而改善衬底受热温度不均匀的情况，但是不能完全解决问题。现有技术采用钼托作为衬底托盘也就是样品架，钼托为Mo材质金属制成的圆柱形盘，厚度一般为2-3mm，其具有热容量大，温度稳定性高的特点，因此，业界一般采用利用低熔点的Ga或In液态金属粘连钼托与衬底的方式将GaSb衬底固定在钼托上以提升衬底温度均匀性。采用上述方式固定衬底，具有如下优点，常压下，Ga和In两者的熔点分别是30°C和156°C，在III-V族材料分子束外延生长过程中，衬底温度约400-550°C，因此，Ga和In在分子束外延过程中为液态，能够为衬底提供良好的热接触，并且非刚性的夹固衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分子束外延系统中固定GaSb衬底所用的样品架，其特征在于，包括筒体（1）、钽片（2）和压紧固定装置（3），所述筒体和压紧固定装置均为在超高真空下不挥发，不放出气体的材质，在筒体内表面设置有支撑结构，钽片设置在支撑结构上，压紧固定装置位于钽片上方将钽片固定在筒体内。/n

【技术特征摘要】
1.一种分子束外延系统中固定GaSb衬底所用的样品架，其特征在于，包括筒体（1）、钽片（2）和压紧固定装置（3），所述筒体和压紧固定装置均为在超高真空下不挥发，不放出气体的材质，在筒体内表面设置有支撑结构，钽片设置在支撑结构上，压紧固定装置位于钽片上方将钽片固定在筒体内。


2.如权利要求1所述的分子束外延系统中固定GaSb衬底所用的样品架，其特征在于，所述的支撑结构为环状凸缘，所述压紧固定装置为卡簧，所述卡簧能卡紧固定在所述筒体内。


3.如权利要求1所述的分子束外延系统中固定GaSb衬底所用的样品架，其特征在于，所述筒体的材质为钼，所述压紧固定装置的材质为钨。


4.如权利要求1所述的分子束外延系统中固定GaSb衬底所用的样品架，其特征在于，所述支撑结构的下端与筒体的底部平齐。


5.如权利要求1所述的分子束外延系统中固定GaSb衬底所用的样品架，其特征在于，所述筒体为圆筒，所述钽片为圆片，所述卡簧为圆形卡簧，卡簧处于自然状态时的外径大于筒体的内径，两端靠近后的外径小于筒体的内径。


6.一种分子束外延系统中固定GaSb衬底的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈意桥，王伟强，周浩，
申请(专利权)人：苏州焜原光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32