一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，装置包括托盘、相变材料；托盘形成为中空结构，相变材料填充于托盘内中空处；GaN晶体置于托盘上；GaN晶体转运托盘装置中托盘采用了石墨材料制成，托盘内填充相变材料，托盘可以循环重复使用，利用GaN晶体生长环境吸热，在出炉区放热，充分利用了现有设备的环境，完成了现有技术中准备区的功能，简化了硬件，能耗、成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置
本技术属于HVPE晶体生长设备
，具体涉及一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置。
技术介绍
GaN材料作为第三代半导体材料，由于其具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，成为制作大功率、高频、高温及抗辐射电子器件的理想材料。宽带隙半导体器件是新一代雷达及通讯系统中最为关键的半导体材料，也是新一代半导体照明应用中的主要器件，对军事设备研制、通讯器件开发、LED产业发展等具有十分重要的意义。1968年，RCA实验室Maruska第一次采用了HVPE法生长GaN单晶薄膜，经过逐渐发展，HVPE法生长逐渐成为了GaN晶体生长主流方法。晶体生长过程：金属Ga放在850℃的高温环境中，HCL气体从上方经过，发生如下反应：2HCL+2Ga＝2GaCL+H2；生成的GaCL传送至蓝宝石衬底，将NH3气体输送至衬底环境，发生如下反应：GaCL+NH3＝GaN+HCL+H2；从而在衬底上生长处GaN单晶，衬底温度一般保持在1100℃。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，包括：/n托盘；托盘形成为中空结构；/n相变材料；相变材料填充于托盘内中空处；GaN晶体置于托盘上。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，包括：
托盘；托盘形成为中空结构；
相变材料；相变材料填充于托盘内中空处；GaN晶体置于托盘上。


2.根据权利要求1所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，托盘包括：
托盘盒盖；托盘盒盖包括盖板、连接桶体；盖板与连接桶体的上端连接；
托盘盒体；托盘盒体包括盒体壁、底板；盒体壁的下端与底板连接；连接桶体置于盒体壁内，连接桶体的内侧壁与盒体壁的外侧壁连接；盖板、底板与盒体壁之间形成密闭空间，相变材料置于密闭空间内。


3.根据权利要求2所述的一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置，其特征在于，在连接桶体的内侧壁上设置有内螺纹，在盒体壁的外侧壁上设置有外螺纹，连接桶体的内侧壁与盒体壁的外侧壁组合陈螺纹连接结构。


4.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁亮，胡宇鹏，王珏，周本权，刘伟，李明海，李思忠，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院总体工程研究所，
类型：新型
国别省市：四川;51