进气装置及半导体设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种进气装置及半导体设备，该进气装置用于向半导体设备的工艺腔室提供工艺气体，包括主进气管路、第一组支进气管路、第二组支进气管路及调压机构；调压机构与主进气管路相连接，用于控制主进气管路内的气体流量稳定在预设范围；主进气管路的出气端分别与第一组支进气管路、第二组支进气管路的进气端相连接；第一组支进气管路、第二组支进气管路的出气端分别与工艺腔室连通，用于将工艺气体输送至工艺腔室内的指定区域；第一组支进气管路、第二组支进气管路上分别设置有支路气体流量调节装置。应用本实用新型专利技术可以实现单独调节基片某区域的工艺气体流量，提高了工艺稳定性，有利于基片整体厚度均匀性的优化。

【技术实现步骤摘要】
进气装置及半导体设备
本技术涉及半导体
，具体地，涉及一种进气装置及半导体设备。
技术介绍
目前，硅外延工艺作为半导体产业的前道工序，为半导体产业提供优质的原材料，是集成电路领域和功率半导体领域中的关键工艺，是半导体产业健康快速发展的基础。硅外延工艺最初应用于双极性集成电路，现在已经广泛应用于集成电路和半导体分立器件，例如，集成电路器件应用硅外延工艺，可以生长重掺埋层上的轻掺外延层，也能外延生成PN结，形成有效的隔离区；功率半导体器件应用硅外延工艺可大幅度提高器件的耐压能力；互补型金属氧化物半导体电路应用硅外延工艺制作，还可以抑制闩锁效应等。随着半导体技术的发展，集成电路硅外延片向大尺寸发展，而集成电路特征尺寸向更小的尺寸发展，因此对硅外延片的晶体完整性、厚度均匀性、电阻率均匀性、缺陷密度要求越来越严格。功率半导体器件当前正在向高耐压、高频率、大电流、低功耗的方向发展，而且一个单管包含有几百到几千个硅外延片，其表面积较大，由于硅外延片的厚度均匀性和电阻率均匀性与器件的耐压值和导通电阻的稳定性密切相关，所以对硅外延片的厚度、电阻率均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种进气装置，用于向半导体设备的工艺腔室提供工艺气体，其特征在于，包括主进气管路、第一组支进气管路、第二组支进气管路及调压机构；其中，/n所述主进气管路的出气端分别与所述第一组支进气管路、所述第二组支进气管路的进气端相连接；/n所述第一组支进气管路、所述第二组支进气管路的出气端分别与所述工艺腔室连通，用于将所述工艺气体输送至所述工艺腔室内的指定区域；/n所述第一组支进气管路、第二组支进气管路上分别设置有支路气体流量调节装置；/n所述调压机构与所述主进气管路相连接，用于控制所述主进气管路内的气体流量稳定在预设范围。/n

【技术特征摘要】
1.一种进气装置，用于向半导体设备的工艺腔室提供工艺气体，其特征在于，包括主进气管路、第一组支进气管路、第二组支进气管路及调压机构；其中，
所述主进气管路的出气端分别与所述第一组支进气管路、所述第二组支进气管路的进气端相连接；
所述第一组支进气管路、所述第二组支进气管路的出气端分别与所述工艺腔室连通，用于将所述工艺气体输送至所述工艺腔室内的指定区域；
所述第一组支进气管路、第二组支进气管路上分别设置有支路气体流量调节装置；
所述调压机构与所述主进气管路相连接，用于控制所述主进气管路内的气体流量稳定在预设范围。


2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述调压机构包括压力测量计、主路气体流量调节装置、与所述主进气管路连通的调压管路及调压装置；其中，
所述压力测量计，用于表征通过所述主进气管路上的气体的压力值；
所述主路气体流量调节装置，设置在所述主进气管路上，用于根据所述压力测量计的测量结果，将所述主进气管路的压力值调节至所述预设范围内；
所述调压装置，设置在所述调压管路上，用于根据所述主进气管路的压力值调节所述调压管路内的工艺气体流量。


3.根据权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述进气装置还包括与所述调压机构气路连通的工艺气体收集装置；
所述工艺气体收集装置设置于所述调压管路的末端。


4.根据权利要求3所述的进气装置，其特征在于，所述主路气体流量调节装置一端连接所述主进气管...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵万辉，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11