一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法，涉及硅片外延生长技术领域，所述基座包括：用于承载所述硅片的圆盘形承载部；从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘，其中，所述环形周缘中形成有多个通孔，使得所述环形周缘的开孔率从与所述硅片的<100>晶向对应的径向方向至与所述硅片的相邻于所述<100>晶向的<110>晶向对应的径向方向逐渐增大。通过本发明专利技术能够获得平坦度更好的外延硅片。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法
本专利技术涉及硅片外延生长领域，尤其涉及一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法。
技术介绍
硅片的外延生长工艺是半导体芯片制造过程中的一个重要工艺，该工艺是指在一定条件下，在经抛光的硅片上再生长一层电阻率和厚度可控、无晶体原生粒子（CrystalOriginatedParticles，COP）缺陷且无氧沉淀的硅单晶层。硅片的外延生长主要包括真空外延沉积、气相外延沉积以及液相外延沉积等生长方法，其中以气相外延沉积的应用最为广泛。如果没有另外说明，本专利技术提及的外延生长都是指通过气相外延沉积完成的外延生长。对于硅片的外延生长而言，平坦度是衡量外延硅片的质量的重要指标，而外延硅片的平坦度与外延层的厚度直接相关。在外延生长过程中，由卤素灯产生的反应腔室中的温度、硅源气体的浓度、硅源气体的流动速度等都会对外延层的厚度产生非常明显的影响。除此以外，硅片的晶向是影向外延层的厚度进而影响外延硅片的平坦度的另一个重要因素，以下对硅片的晶向以及晶向对外延层厚度的影响进行详细介绍。参见图1，图1以（100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于硅片的外延生长的基座，其特征在于，包括：/n用于承载所述硅片的圆盘形承载部；/n从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘，其中，所述环形周缘中形成有多个通孔，使得所述环形周缘的开孔率从与所述硅片的<100> 晶向对应的径向方向至与所述硅片的相邻于所述<100> 晶向的<110> 晶向对应的径向方向逐渐增大。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片的外延生长的基座，其特征在于，包括：
用于承载所述硅片的圆盘形承载部；
从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘，其中，所述环形周缘中形成有多个通孔，使得所述环形周缘的开孔率从与所述硅片的<100>晶向对应的径向方向至与所述硅片的相邻于所述<100>晶向的<110>晶向对应的径向方向逐渐增大。


2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述通孔的孔壁内表面涂覆有SiC膜。


3.根据权利要求2所述的基座，其特征在于，所述SiC膜的厚度大于10μm。


4.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述通孔在两端处分别具有倒角部分。


5.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述环形周缘的与所述硅片的<100>晶向对应的径向方向上的开孔率为零。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的基座，其特征在于，所述多个通孔具有相同的孔径。


7.根据权利要求6所述的基座，其特征在于，所述多个通孔沿径向靠近所述基座的中心分布在所述环形周缘上。


8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：俎世琦，方圭哲，金柱炫，王力，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61