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本发明实施例公开了一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法,涉及硅片外延生长技术领域,所述基座包括:用于承载所述硅片的圆盘形承载部;从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘,其中,所述环形周缘中形成有多个通孔,使得所述环形周缘的开孔率从与所...该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。
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本发明实施例公开了一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法,涉及硅片外延生长技术领域,所述基座包括:用于承载所述硅片的圆盘形承载部;从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘,其中,所述环形周缘中形成有多个通孔,使得所述环形周缘的开孔率从与所...