一种可调控局域温场的石墨承载盘制造技术

本实用新型专利技术涉及石墨承载盘技术领域，具体涉及一种可调控局域温场的石墨承载盘，包括石墨承载盘上设有用于收容外延片的多个第一收容部、多个第二收容部和多个第三收容部；多个第一收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第一承载环，多个第二收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第二承载环，多个第三收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第三承载环，相邻的承载环之间设置有散热槽；第一收容部、第二收容部和第三收容部三者的形状均不相同，与现有技术相比，不同形状的收容部可以用于收容不同规格的外延片，解决外延片容易混淆的问题，另外，相邻的承载环之间设置有散热槽，避免石墨承载盘温度过高以及各个收容部受热温度不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种可调控局域温场的石墨承载盘
本技术涉及石墨承载盘
，具体涉及一种可调控局域温场的石墨承载盘。
技术介绍
发光二极管，也称为LED，为一种固态半导体元件，其至少包含一P-N结，此P-N结形成于P型半导体与N型半导体之间。当于P-N上施予一定程度的偏压时，P型半导体中的空穴与N型半导体中的电子会结合而发光，此光产生的区域称为发光区。LED在制备过程中需要在外延片上外延生长多层外延层，以蓝宝石外延片为例，需将多片蓝宝石外延片放入外延炉中的石墨承载盘上，然后进行下一步加工。现有的石墨承载盘大部分呈蜂窝状相邻设置，每个收容部均呈圆形设置，其对于需要放置不同规格的蓝宝石外延片在石墨承载盘的情况，很容易造成蓝宝石外延片混淆，对加工造成困难。另外，现有的石墨承载盘在盛放外延片进行加热时，很容易导致外延片不同位置的温度不同，具体位于石墨承载盘最边缘的温度偏高，导致外延良率和芯片良率偏低。因此，采用传统的石墨承载盘无法精确调控局域温场。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术中的不足，而提供一种结构简单、性能良好的可调控局域温场的石墨承载盘。本技术的目的通过以下技术方案实现：一种可调控局域温场的石墨承载盘，石墨承载盘上设有用于收容外延片的多个第一收容部、多个第二收容部和多个第三收容部；多个第一收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第一承载环，多个第二收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第二承载环，多个第三收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第三承载环，第一承载环、第二承载环和第三承载环依次由里至外排布在石墨承载盘上，第一承载环与第二承载环之间以及第二承载环和第三承载环之间均设置有多个沿石墨承载盘轴向排布的散热槽；第一收容部、第二收容部和第三收容部三者的形状均不相同。其中，第一收容部呈圆形设置。其中，第二收容部呈矩形设置。其中，第三收容部呈三角形状设置。其中，第一承载环与第二承载环之间设置有四个散热槽，四个散热槽以圆形状的方式排布。其中，第二承载环与第三承载环之间设置有四个散热槽，四个散热槽以圆形状的方式排布。其中，石墨承载盘由石墨烯制备而成。其中，石墨承载盘的外表面涂覆有碳化硅涂层。本技术的有益效果：本申请的可调控局域温场的石墨承载盘，与现有技术相比，不同形状的收容部可以用于收容不同规格的外延片，解决外延片容易混淆的问题，另外，相邻的承载环之间设置有散热槽，有效地避免石墨承载盘温度过高以及各个收容部受热温度不均匀的问题。附图说明利用附图对本技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本技术的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。图1为本技术的一种可调控局域温场的石墨承载盘的结构示意图。具体实施方式结合以下实施例对本技术作进一步描述。本技术的一种可调控局域温场的石墨承载盘1的具体实施方式，如图1所示，石墨承载盘1上设有用于收容外延片的多个第一收容部2、多个第二收容部3和多个第三收容部3；多个第一收容部2围绕石墨承载盘1中心间隔排布并形成第一承载环，多个第二收容部3围绕石墨承载盘1中心间隔排布并形成第二承载环，多个第三收容部3围绕石墨承载盘1中心间隔排布并形成第三承载环，第一承载环、第二承载环和第三承载环依次由里至外排布在石墨承载盘1上，第一承载环与第二承载环之间以及第二承载环和第三承载环之间均设置有多个沿石墨承载盘1轴向排布的散热槽4，具体的，第一承载环与第二承载环之间设置有四个散热槽4，四个散热槽4以圆形状的方式排布，其中，第二承载环与第三承载环之间设置有四个散热槽4，四个散热槽4以圆形状的方式排布。第一收容部2、第二收容部3和第三收容部3三者的形状均不相同，其中，第一收容部2呈圆形设置，第二收容部3呈矩形设置，其中，第三收容部3呈三角形状设置。与现有技术相比，不同形状的收容部可以用于收容不同规格的外延片，解决外延片容易混淆的问题，另外，相邻的承载环之间设置有散热槽4，有效地避免石墨承载盘1温度过高以及各个收容部受热温度不均匀的问题。为了增强石墨承载盘1的硬度，石墨承载盘1由石墨烯制备而成。为了增强石墨承载盘1的硬度，石墨承载盘1的外表面涂覆有碳化硅涂层5。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本技术作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：石墨承载盘上设有用于收容外延片的多个第一收容部、多个第二收容部和多个第三收容部；多个第一收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第一承载环，多个第二收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第二承载环，多个第三收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第三承载环，所述第一承载环、第二承载环和第三承载环依次由里至外排布在石墨承载盘上，第一承载环与第二承载环之间以及第二承载环和第三承载环之间均设置有多个沿石墨承载盘轴向排布的散热槽；第一收容部、第二收容部和第三收容部三者的形状均不相同。

【技术特征摘要】
1.一种可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：石墨承载盘上设有用于收容外延片的多个第一收容部、多个第二收容部和多个第三收容部；多个第一收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第一承载环，多个第二收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第二承载环，多个第三收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第三承载环，所述第一承载环、第二承载环和第三承载环依次由里至外排布在石墨承载盘上，第一承载环与第二承载环之间以及第二承载环和第三承载环之间均设置有多个沿石墨承载盘轴向排布的散热槽；第一收容部、第二收容部和第三收容部三者的形状均不相同。2.如权利要求1所述可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：第一收容部呈圆形设置。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文君，
申请(专利权)人：东莞市业晟石墨科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44