In one embodiment, a chemical vapor deposition system comprises a bearing disc, a plurality of wafer carriers, and a manufacturing process gas. The bearing coil rotates around the central axis. A plurality of wafer bearers are located on the bearing disc, and each wafer bearer bears the wafer. The circumference of the wafer is chamfered, and each wafer loader has an extension structure. The extension structure has a horizontal bottom and an inclined bearing surface, which is used to carry the chamfer. The gas in the manufacturing process is close to the epitaxial surface of the wafer, and the film is deposited on the epitaxial surface by heating reaction.
【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积系统
本案是关于一种化学气相沉积系统与其晶圆承载器。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD)，其原理是利用承载气体(carriergas)携带气相反应物或是前驱物，进入装有晶圆的反应室中，晶圆下方的承载盘(susceptor)具有加热装置，以加热晶圆及接近晶圆的气体使其温度升高，而高温会触发单一或是数种气体间的化学反应，使通常为气态的反应物被转换为固态的生成物，并沉积在晶圆表面上。美国专利US7670434揭露一种气相沉积装置，图1为剖面图，显示其所揭露的气相沉积装置1。如图1所示，气相沉积装置1包含反应器10、用以承载晶圆13的晶圆承载器11、位于晶圆承载器11下方的承载盘12、位于承载盘12下方的加热器14、转动机构15使承载盘12与晶圆承载器11旋转、用以供应反应气体的气体输入管线16，以及用以排出气体的气体排放管线17。图2A为图1中晶圆承载器11的俯视图，图2B为图2A在A—A方向的剖面图。图1、图2A和图2B所揭露的是一种晶圆朝上(FaceUp)的化学气相沉积装...
【技术保护点】
1.一种化学气相沉积系统，其特征在于包含：承载盘，绕着中心轴旋转；多个晶圆承载器，位于该承载盘，每个该晶圆承载器承载晶圆，该晶圆的周边具有倒角，每个该晶圆承载器具有朝该晶圆方向延伸的延伸结构，该延伸结构具有水平的底面以及倾斜的承载面，该承载面用以承载该倒角；制造过程气体，靠近该晶圆的磊晶面，经加热反应形成薄膜沉积在该磊晶面上。
【技术特征摘要】
2017.07.28 TW 1061255001.一种化学气相沉积系统，其特征在于包含：承载盘，绕着中心轴旋转；多个晶圆承载器，位于该承载盘，每个该晶圆承载器承载晶圆，该晶圆的周边具有倒角，每个该晶圆承载器具有朝该晶圆方向延伸的延伸结构，该延伸结构具有水平的底面以及倾斜的承载面，该承载面用以承载该倒角；制造过程气体，靠近该晶圆的磊晶面，经加热反应形成薄膜沉积在该磊晶面上。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于：其中该底面与该承载面具有夹角，该夹角等于该倒角的角度。3.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于：其中该承载面是一个环形结构。4.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于：其中该承载面位于该晶圆承载器的内侧壁的下方。5.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于：是一种晶圆朝下的化学气相沉积系统。6.一种化学气相沉积系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢柏菁，黄冠宁，
申请(专利权)人：汉民科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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