The present invention discloses a graphite disk for epitaxy growth of lattice mismatch structure. Several substrate grooves are formed on the graphite disk for placing a substrate. The groove bottom of the substrate groove is formed according to 1-20/cm.
【技术实现步骤摘要】
一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘
本专利技术涉及半导体设备设计和制造的
，尤其是指一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘。
技术介绍
金属有机物化学汽相沉积(Metal-organicChemicalVaporDeposition，简写M0CVD)设备主要用于化合物半导体材料与器件(比如：GaAs、InP、GaN、ZnS、ZnO及其合金材料和器件结构)的生长。载气把有机源带入反应室，在衬底上反应，形成薄膜材料。衬底放置于石墨盘上，目前，石墨盘材质多选用石墨，也称石墨盘，是MOCVD设备中非常重要的配件，由高纯石墨制成，并在表面包裹SiC镀层。目前常用的石墨盘都是圆形，在石墨盘上分布有一些圆形的凹槽，这些凹槽即用于放置衬底。外延生长过程，在MOCVD的反应腔中，通过灯丝或者射频等加热系统对盛放有衬底的石墨盘进行辐射加热，加热温度为500～1300℃，由热电偶与温度控制器控制温度，这样温度控制精度一般可达0.2℃或更低。由于半导体材料的组分和掺杂等参数对温度非常敏感，因此，温度控制的精度对于半导体材料生长的均匀性有非常重要的意义。在MOCVD外延技术发展过...
【技术保护点】
1.一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个用于放置衬底的衬底凹槽，其特征在于：所述衬底凹槽的槽底形成有按1～20个/cm2密度均匀分布的细孔，且所述细孔竖直贯穿石墨盘底部，利用反应室自上而下的压力差，使衬底两面在外延生长过程中始终保持有压力差，即使衬底发生翘曲，亦能被此压力差下压吸附在石墨盘表面。
【技术特征摘要】
1.一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个用于放置衬底的衬底凹槽，其特征在于：所述衬底凹槽的槽底形成有按1～20个/cm2密度均匀分布的细孔，且所述细孔竖直贯穿石墨盘底部，利用反应室自上而下的压力差，使衬底两面在外延生长过程中始终保持有压力差，即使衬底发生翘曲，亦能被此压力差下压吸附在石墨盘表面。2.根据权利要求1所述的一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘，其特征在于：所述细孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘建庆，高熙隆，刘雪珍，丁杰，刘恒昌，宋欣慰，
申请(专利权)人：中山德华芯片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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