The embodiments described herein generally relate to a temperature control system for a substrate support assembly provided in a substrate processing system. In one embodiment, a temperature control system is disclosed herein. The temperature control system comprises a remote fluid source and a main frame system. The remote fluid source includes a first memory and a second memory. The main frame system comprises a first fluid loop and a second fluid loop. The first fluid loop is coupled to the first memory and is configured to receive the first fluid from the first memory. The second fluid loop is coupled to the second memory and is configured to receive the second fluid from the second memory. The first proportional valve has a first inlet connected with the first fluid circuit and a second inlet connected with the second fluid circuit. The first proportional valve has an outlet configured to flow a third fluid.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双回路基座温度控制系统
本文描述的实施方式大体涉及一种用于基板处理系统的温度控制系统,并且更特定地涉及一种用于调节设置在基板处理系统中的基板支撑组件的温度的温度控制系统。
技术介绍
平板显示器(FPD)通常用于有源矩阵显示器,诸如计算机和电视机显示屏、个人数字助理(PDA)和手机以及太阳能电池等。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)可以用于平板显示器制造,以在支撑在真空处理腔室内的基板支撑组件上的基板上沉积薄膜。PECVD一般通过在真空处理腔室内将前驱物气体激励成等离子体并且由所激励的前驱物气体在基板上沉积膜来实现。在沉积期间,真空处理腔室内的等离子体加热基板和基板支撑组件。等离子体可能导致基板和支撑组件的温度具有瞬时的温度增加或尖峰(例如从90℃温度增加20%-30%,或增加约30-50℃)。基板和支撑组件的这种大幅温度增加不期望地导致基板的工艺变化和/或过热。因此,需要一种用于基板支撑组件的经改进的温度控制系统。
技术实现思路
本文描述的实施方式大体涉及一种用于设置在基板处理系统中的基板支撑组件的温度控制系统。在一个实施方式中,本文公开一种温度控制系统。所述温度控制系统包括远程流体源和主框架系统。所述远程流体源包括第一贮存器和第二贮存器。所述主框架系统与所述远程流体源耦接。所述主框架系统包括第一流体回路和第二流体回路。所述第一流体回路耦接到所述第一贮存器,并且被配置为从所述第一贮存器接收第一流体。所述第二流体回路耦接到所述第二贮存器,并且被配置为从所述第二贮存器接收第二流体。第一比例阀具有与所述第一流体回路连通的第一入口和与所述第二流体回路连通的第二入口 ...
【技术保护点】
1.一种温度控制系统,所述温度控制系统包括:远程流体源,具有第一贮存器和第二贮存器;以及主框架系统,与所述远程流体源耦接,所述主框架系统包括:第一流体回路,耦接到所述第一贮存器并且被配置为从所述第一贮存器接收第一流体;第二流体回路,耦接到所述第二贮存器并且被配置为从所述第二贮存器接收第二流体;以及第一比例阀,具有与所述第一流体回路连通的第一入口和与所述第二流体回路连通的第二入口,所述第一比例阀具有被配置为使第三流体流动的出口,所述第三流体由所述第一流体、所述第二流体或它们的选择性成比例的混合物组成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.05 US 15/147,9081.一种温度控制系统,所述温度控制系统包括:远程流体源,具有第一贮存器和第二贮存器;以及主框架系统,与所述远程流体源耦接,所述主框架系统包括:第一流体回路,耦接到所述第一贮存器并且被配置为从所述第一贮存器接收第一流体;第二流体回路,耦接到所述第二贮存器并且被配置为从所述第二贮存器接收第二流体;以及第一比例阀,具有与所述第一流体回路连通的第一入口和与所述第二流体回路连通的第二入口,所述第一比例阀具有被配置为使第三流体流动的出口,所述第三流体由所述第一流体、所述第二流体或它们的选择性成比例的混合物组成。2.如权利要求1所述的温度控制系统,还包括:流体返回导管,耦接到所述远程流体源。3.如权利要求2所述的温度控制系统,还包括:回流阀,具有与所述流体返回导管连通的入口、与所述第一贮存器连通的第一出口以及与所述第二贮存器连通的第二出口,所述回流阀经配置。4.如权利要求1所述的温度控制系统,还包括:PID控制器,耦接到所述第一比例阀。5.如权利要求1所述的温度控制系统,还包括:第一基板支撑组件,设置在第一处理腔室中,所述第一基板支撑组件耦接到所述第一比例阀的所述出口。6.如权利要求5所述的温度控制系统,还包括:第二基板支撑组件,设置在第二处理腔室中;以及第二比例阀,具有与所述第一流体回路连通的第一入口、与所述第二流体回路连通的第二入口以及与所述第二基板支撑组件连通的出口。7.如权利要求1所述的温度控制系统,还包括:控制器,被配置为控制进入第一比例阀的所述第一入口和所述第二入口的流体的比率,以响应于与出口流体流热连接的某一元件的期望温度而控制从所述第一比例阀的所述出口流出的流体的温度。8.一种用于处理基板的系统,所述系统包括:传送腔室;多个处理腔室,耦接到所述传送腔室,每个处理腔室具有基板支撑组件;以及温度控制系统,被配置为控制第一处理腔室中的第一基板支撑组件的温度,所述温度控制系统包括:远程流体源,具有...
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