半导体器件的形成方法技术

一种半导体器件的形成方法，包括：提供初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体和位于焊盘本体顶部的焊盘保护层；在所述焊盘上以及焊盘周围的初始器件上形成钝化结构层；刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层，以在所述钝化结构层中形成凹槽；形成凹槽后，进行中间热处理；进行中间热处理后，在所述钝化结构层上形成感光保护层，所述感光保护层暴露出凹槽的底部表面；以所述感光保护层为掩膜进行刻蚀，以将所述凹槽底部的焊盘保护层去除从而暴露出焊盘本体的表面。所述方法提高了半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
快闪存储器(FlashMemory)又称为闪存，闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因此成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构的不同，闪存分为非门闪存(NORFlashMemory)和与非门闪存(NANDFlashMemory)。相比NORFlashMemory，NANDFlashMemory能提供及高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也更快。随着平面型闪存的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是目前平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，如曝光技术极限、显影技术极限及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面型闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维(3D)闪存应用而生，例如3D-NAND闪存。现有的3D-NAND闪存表面需要形成一层保护层。然而，基于现有的保护层的工艺，3D-NAND闪存构成的半导体器件的性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件的形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体和位于焊盘本体顶部的焊盘保护层；在所述焊盘上以及焊盘周围的初始器件上形成钝化结构层；刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层，以在所述钝化结构层中形成凹槽；形成凹槽后，进行中间热处理；进行中间热处理后，在所述钝化结构层上形成感光保护层，所述感光保护层暴露出凹槽的底部表面；以所述感光保护层为掩膜进行刻蚀，以将所述凹槽底部的焊盘保护层去除从而暴露出焊盘本体的表面。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体和位于焊盘本体顶部的焊盘保护层；在所述焊盘上以及焊盘周围的初始器件上形成钝化结构层；刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层，以在所述钝化结构层中形成凹槽；形成凹槽后，进行中间热处理；进行中间热处理后，在所述钝化结构层上形成感光保护层，所述感光保护层暴露出凹槽的底部表面；以所述感光保护层为掩膜进行刻蚀，以将所述凹槽底部的焊盘保护层去除从而暴露出焊盘本体的表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层的方法包括：在所述钝化结构层上形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层中具有开口，所述开口位于所述焊盘上方；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀开口底部的至少部分厚度的钝化结构层，形成所述凹槽；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀开口底部的至少部分厚度的钝化结构层后，去除所述光刻胶层。3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除焊盘上钝化结构层的表层，以在所述钝化结构层中形成凹槽；所述半导体器件的形成方法还包括：在以所述感光保护层为掩膜刻蚀凹槽底部的焊盘保护层之前，以所述感光保护层为掩膜刻蚀凹槽底部的钝化结构层直至暴露出焊盘保护层。4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在以所述感光保护层为掩膜刻蚀凹槽底部的焊盘保护层之前，凹槽的底部的钝化结构层的厚度为200埃～500埃。5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除焊盘上的钝化结构层，在所述钝化结构层中形成凹槽，凹槽的底部暴露出焊盘保护层。6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，胡小龙，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42