垂直存储器件制造技术

垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。

【技术实现步骤摘要】
垂直存储器件相关申请的交叉引用本申请根据35USC§119要求于2017年7月25日向韩国知识产权局(KoreanIntellectualPropertyOffice，KIPO)提交的韩国专利申请第10-2017-0094344号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思的示例性实施例涉及存储器件，并且更具体地涉及垂直存储器件。
技术介绍
当源气体不填充用于形成GSL的间隙时，VNAND快闪存储器件中最下面层级(lowermostlevel)处的GSL可能形成有缺陷。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，一种垂直存储器件包括栅极电极结构，该栅极电极结构包括在衬底上沿基本上垂直上于衬底的上表面的第一方向彼此间隔开的栅极电极。栅极电极中的每一个沿基本上平行于衬底的上表面的第二方向延伸。绝缘图案结构包括绝缘图案。绝缘图案中的每一个在栅极电极的相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构在衬底上沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直存储器件，包括：栅极电极结构，其包括栅极电极，所述栅极电极在衬底上沿与所述衬底的上表面基本上垂直的第一方向彼此间隔开，所述栅极电极中的每一个沿基本上平行于所述衬底的上表面的第二方向延伸；绝缘图案结构，其包括绝缘图案，所述绝缘图案中的每一个在所述栅极电极的相邻栅极电极之间沿第二方向延伸；和沟道结构，其在所述衬底上沿所述第一方向延伸，所述沟道结构延伸穿过所述栅极电极结构的至少一部分和所述绝缘图案结构的至少一部分，其中，所述栅极电极结构包括在所述衬底上沿所述第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极，其中，所述绝缘图案的第一绝缘图案的下表面和上表面沿着所述第一方向远离所述...

【技术特征摘要】
2017.07.25 KR 10-2017-00943441.一种垂直存储器件，包括：栅极电极结构，其包括栅极电极，所述栅极电极在衬底上沿与所述衬底的上表面基本上垂直的第一方向彼此间隔开，所述栅极电极中的每一个沿基本上平行于所述衬底的上表面的第二方向延伸；绝缘图案结构，其包括绝缘图案，所述绝缘图案中的每一个在所述栅极电极的相邻栅极电极之间沿第二方向延伸；和沟道结构，其在所述衬底上沿所述第一方向延伸，所述沟道结构延伸穿过所述栅极电极结构的至少一部分和所述绝缘图案结构的至少一部分，其中，所述栅极电极结构包括在所述衬底上沿所述第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极，其中，所述绝缘图案的第一绝缘图案的下表面和上表面沿着所述第一方向远离所述衬底的上表面弯曲，所述第一绝缘图案在所述第一栅极电极和所述多个第二栅极电极中的最下面的一个第二栅极电极之间，并且其中，连接所述第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于所述衬底的上表面倾斜。2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述绝缘图案结构还包括第二绝缘图案，所述第二绝缘图案中的每一个在所述第二栅极电极的相邻的第二栅极电极之间，并且其中，相对于基本上平行于所述衬底的上表面的第三方向，所述第二绝缘图案中的每一个的侧壁的倾斜度大于所述第一绝缘图案的侧壁的倾斜度。3.根据权利要求2所述的垂直存储器件，其中，所述第一绝缘图案在所述第一方向上的厚度大于所述第二绝缘图案中的每一个在所述第一方向上的厚度。4.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述第一栅极电极的侧壁在所述第一方向上的厚度大于所述第一栅极电极在所述第三方向上的中心部分的厚度。5.根据权利要求4所述的垂直存储器件，其中，所述多个第二栅极电极中的最下面一个第二栅极电极的侧壁在第一方向上的厚度小于所述第一栅极电极的侧壁的厚度。6.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述沟道结构包括：下沟道，从所述衬底的上表面沿第一方向突出；和上沟道，其在所述下沟道上沿第一方向延伸，其中，所述下沟道延伸穿过所述第一栅极电极，并且所述上沟道延伸穿过所述第二栅极电极。7.根据权利要求6所述的垂直存储器件，还包括在所述第一栅极电极和所述下沟道之间的第一栅极绝缘图案，所述第一栅极绝缘图案包括氧化硅。8.根据权利要求6所述的垂直存储器件，还包括在所述第一栅极电极和所述衬底的上表面之间的第二栅极绝缘图案，所述第二栅极绝缘图案包括氧化硅。9.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述栅极电极结构还包括至少一个第三栅极电极，所述第三栅极电极与所述第二栅极电极中的最上面的一个第二栅极电极间隔开并且在所述第二栅极电极中的最上面的一个第二栅极电极上方，并且其中第一、第二和第三栅极电极分别用作地选择线GSL、字线和串选择线SSL。10.根据权利要求9所述的垂直存储器件，其中，所述第一栅极被布置在第一层级处，并且所述第三栅极电极包括被布置在所述第一层级上方的两个不同层级处的至少两个第三栅极电极。11.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，多个第一和第二栅极电极被布置在基本上平行于所述衬底的上表面的第三方向上，并且其中，所述垂直存储器件还包括在所述第三方向上的多个第一和第二栅极电极中的相邻栅极电极之间沿所述第二方向延伸的公共源极线CSL，所述CSL在所述第三方向上与所述多个栅极电极中的相邻栅极电极间隔开。12.根据权利要求1所述的垂直存储器件，还包括顺序地堆叠在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秉一，具池谋，朴玄睦，李晫，车俊昊，洪祥准，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR