三维存储器的制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的制造方法。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层栅极层；形成NAND串于所述沟道孔的侧壁表面；沿所述沟道孔沉积栅极层材料于所述NAND串顶部，形成沟道孔插塞。本发明专利技术简化了三维存储器的制造步骤，降低了三维存储器的制造成本，并有助于改善三维存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器的制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种三维存储器的制造方法。
技术介绍
随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如NAND存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即3DNAND(三维NAND)存储器；随着集成度的越来越高，3DNAND存储器已经从32层发展到64层，甚至更高的层数。在3DNAND存储器中，具有由层间绝缘层和栅极交替堆叠形成的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心区域以及围绕所述核心区域设置的台阶区域。所述核心区域，用于信息的存储；所述台阶区域，位于所述堆叠结构的顶部，用于向所述核心区域传输控制信息，以实现信息在所述核心区域的读写。同时，为了实现对3DNAND存储器中数据存储的控制，在所述堆叠结构的核心区域还包括贯穿所述堆叠结构的沟道孔。但是，在现有的3DNAND存储器的制造工艺中，操作较为繁琐，而且极易对所述沟道孔的侧壁造成影响，从而导致生产效率的降低以及3DNAND存储性能的降低。因此，如何降低三维存储器的制造成本，简化3DNAND存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层栅极层；形成NAND串于所述沟道孔的侧壁表面；沿所述沟道孔沉积栅极层材料于所述NAND串顶部，形成沟道孔插塞。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层栅极层；形成NAND串于所述沟道孔的侧壁表面；沿所述沟道孔沉积栅极层材料于所述NAND串顶部，形成沟道孔插塞。2.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，形成NAND串于所述沟道孔的侧壁表面的具体步骤包括：形成阻挡层于所述沟道孔的侧壁表面；形成电荷捕获层于所述阻挡层表面；形成隧穿层于所述电荷捕获层表面；形成沟道层于所述隧穿层表面。3.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，形成沟道孔插塞的具体步骤包括：沿所述沟道孔回刻蚀所述NAND串，形成凹槽；沉积栅极层材料于所述凹槽内，形成所述沟道孔插塞。4.根据权利要求3所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，沿所述沟道孔回刻蚀所述NAND串的具体步骤包括：沿所述沟道孔回刻蚀所述沟道层，形成所述凹槽。5.根据权利要求4所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，沉积栅极层材料于所述凹槽内的具体步骤包括：沿所述凹槽沉积导电粘结材料于所述隧穿层的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：李远，潘杰，万先进，朱宏斌，鲍琨，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42