【技术实现步骤摘要】
半导体发光装置相关申请的交叉引用2017年7月18日提交的标题为“半导体发光装置”的韩国专利申请No.10-2017-0091057以引用方式全文并入本文中。
本文所述的一个或多个实施例涉及一种半导体发光装置。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种用于显示器、照明装置和其他应用的半导体装置。随着照明LED市场的扩大以及其应用范围扩展到大电流和高功率，可靠性和光提取效率受到追捧。例如，已经受到关注的一个领域涉及外部结构(例如，模块或封装件)与LED的半导体层之间的电连接。
技术实现思路
根据一个或多个实施例，一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；反射电极层，其覆盖第二半导体层的上表面；以及透明覆盖层，其位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面，其中，透明覆盖层包括具有第一部分和第二部分的尾部，第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面，第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。根据一个或多个其它实施例，一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和由暴露出第一半导体层的下表面部分的多个沟槽限定的台面...
【技术保护点】
1.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；反射电极层，其覆盖所述第二半导体层的上表面；以及透明覆盖层，其位于所述反射电极层上，覆盖所述第二半导体层的上表面，其中，所述透明覆盖层包括具有第一部分和第二部分的尾部，所述第一部分覆盖所述反射电极层的边缘并且具有凸上表面，所述第二部分比所述第一部分更薄并且从所述第一部分延伸。
【技术特征摘要】
2017.07.18 KR 10-2017-00910571.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；反射电极层，其覆盖所述第二半导体层的上表面；以及透明覆盖层，其位于所述反射电极层上，覆盖所述第二半导体层的上表面，其中，所述透明覆盖层包括具有第一部分和第二部分的尾部，所述第一部分覆盖所述反射电极层的边缘并且具有凸上表面，所述第二部分比所述第一部分更薄并且从所述第一部分延伸。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明覆盖层的第一部分比所述透明覆盖层的第一部分周围的其它部分更厚。3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明覆盖层：在相对于水平方向的中心具有第一厚度，在所述反射电极层的边缘周围的比所述第一部分更靠内的一部分具有小于所述第一厚度的第二厚度，在所述第一部分具有小于所述第一厚度且大于所述第二厚度的第三厚度，以及在所述第二部分具有小于所述第三厚度的第四厚度。4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：多个绝缘图案，其在所述第二半导体层与所述反射电极层之间彼此间隔开，所述多个绝缘图案和所述反射电极层一起具有全向反射器结构。5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中：所述发光结构包括由暴露出所述第一半导体层的下表面部分的多个沟槽限定的台面结构，并且所述反射电极层的边缘与所述台面结构的上表面的边缘间隔开。6.根据权利要求5所述的半导体发光装置，其中，所述透明覆盖层的边缘与所述台面结构的上表面的边缘间隔开。7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中：第一距离对应于所述台面结构的上表面的边缘与所述透明覆盖层的边缘之间的距离，第二距离对应于所述台面结构的上表面的边缘与所述反射电极层的边缘之间的距离，并且所述第一距离小于所述第二距离。8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述第一距离的值大于0μm且小于2μm。9.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：绝缘结构，其覆盖所述第一半导体层的上表面和所述透明覆盖层周围的所述第二半导体层的上表面；第一互连导电层，其穿过所述绝缘结构电连接至所述第一半导体层；以及第二互连导电层，其穿过所述绝缘结构电连接至所述反射电极层。10.根据权利要求9所述的半导体发光装置，其中：所述透明覆盖层包括绝缘材料，并且所述第二互连导电层穿过所述透明覆盖层接触所述反射电极层。11.根据权利要求9所述的半导体发光装置，其中：所述透明覆盖层包括导电氧化物，并且所述第二互连导电层接触所述透明覆盖层。12.根据权利要求9所述的半导体发光装置，其中，所述透明覆盖层包括：下透明覆盖层，其覆盖所述反射电极层，并且包括导电氧化物，以及上透明覆盖层，其覆盖所述下透明覆盖层，并且包括绝缘材料，并且其中，所述第二互连导电层穿过...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹柱宪，沈载仁，金起范，孙夏英，辛榕燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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