发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法技术

提供了一种发光器件和一种发光器件封装件。所述发光器件包括：衬底；形成在衬底上的发光结构；在发光结构上的第一透射导电层；形成在所述第一透射导电层上的第一电介质图案层，所述第一电介质图案层包括多个开口；第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；填充所述多个开口的第二电介质图案层；以及形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上的反射电极层。

Light-emitting devices, packages including the light-emitting devices and their manufacturing methods

A light emitting device and a light emitting device package are provided. The light-emitting device includes: a substrate; a light-emitting structure formed on the substrate; a first transmission conductive layer on the light-emitting structure; a first dielectric pattern layer formed on the first transmission conductive layer, which comprises multiple openings; and a second transmission conductive layer, which conformally forms on the first transmission conductive layer exposed through the multiple openings, and the said layer. On the first dielectric pattern layer, a second dielectric pattern layer filled with the plurality of openings, and a reflection electrode layer formed on the second transmission conductive layer and the second dielectric pattern layer.

【技术实现步骤摘要】
发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年7月13日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2017-0089168的优先权，其公开内容通过引用其全部合并于此。
本专利技术构思涉及一种发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法。例如，本公开涉及一种包括具有改进的光提取效率的结构的发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法。
技术介绍
发光器件可以包括发光结构之下的反射电极层，从而改善从发光结构发出的光的提取效率。近来，随着发光器件的尺寸逐渐减小，具有能够增加反射电极层的反射率的结构的发光器件和包括该发光器件的封装件是期望的。
技术实现思路
本公开提供了一种包括透射导电层和电介质层的发光器件，其具有能够有效改善光提取效率的结构。本公开提供了一种包括透射导电层和电介质层的发光器件封装件，其具有能够有效改善光提取效率的结构。本公开提供一种制造包括透射导电层和电介质层的发光器件的方法，其具有能够有效改善光提取效率的结构。根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种发光器件，包括：衬底；形成在衬底上的发光结构；形成在发光结构上的第一透射导电层；形成在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：衬底；发光结构，其形成在所述衬底上；第一透射导电层，其形成在所述发光结构上；第一电介质图案层，其形成在所述第一透射导电层上，所述第一电介质图案层包括多个开口；第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；第二电介质图案层，其填充所述多个开口；以及反射电极层，其形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上。

【技术特征摘要】
2017.07.13 KR 10-2017-00891681.一种发光器件，包括：衬底；发光结构，其形成在所述衬底上；第一透射导电层，其形成在所述发光结构上；第一电介质图案层，其形成在所述第一透射导电层上，所述第一电介质图案层包括多个开口；第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；第二电介质图案层，其填充所述多个开口；以及反射电极层，其形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光结构包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，并且所述p型半导体层的折射率大于第一电介质图案层的折射率和第二电介质图案层的折射率。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电介质图案层的厚度大于所述第二电介质图案层的厚度。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电介质图案层的截面具有上底比下底短的梯形形状，并且所述第二电介质图案层的截面具有上底比下底长的梯形形状。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电介质图案层和所述第二电介质图案层中的至少一个包括多层结构，所述多层结构包括具有彼此不同的折射率的各材料层。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射电极层包括银或者银的合金，并且所述反射电极层的顶表面和底表面分别是平坦的。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二透射导电层的最上表面和所述第二电介质图案层的顶表面位于相同的水平高度处。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二透射导电层与所述反射电极层之间的接触面积大于所述第二透射导电层与所述第一透射导电层之间的接触面积。9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一透射导电层的厚度大于所述第二透射导电层的厚度。10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一透射导电层的厚度和所述第二透射导电层的厚度中的每一个等于或小于100nm。11.一种发光器件封装件，包括：衬底；多个发光结构，所述多个发光结构形成在所述衬底上，所述发光结构中的每一个包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一透射导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄京旭，申东明，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR