一种新型电极结构LED倒装芯片及制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有新型电极结构的倒装LED芯片，其特征在于，所述的芯片电极结构为层叠结构的镍电极。所述镍电极结构为包含依次生长的应力缓释金属层、含Ni层和盖层金属层等成分的层状结构。所述镍电极应力缓释金属层材料为Cr、Ti、Zn、Al、Cu、Al‑Si合金、Al‑Cu合金、Fe、W、Au、Sn、Pt或Al‑Cu‑Si合金中的一种或几种。所述镍电极的制备方法包括以下步骤：在芯片的电极面金属介质上依次蒸镀、溅镀、化学镀或电镀应力缓释金属层，含Ni层和盖层金属层。所述的新型电极结构的倒装LED芯片可提高LED倒装芯片采用普通锡膏焊料封装的焊接可靠性，同时实现低成本。同时镍电极采用应力缓释金属层结构提高镍层金属镀膜的稳定性，大大提高了生产良率。

A New Type of LED Flip-chip with Electrode Structure and Its Preparation Method

The invention provides a flip-chip LED chip with a novel electrode structure, which is characterized in that the chip electrode structure is a nickel electrode with a stacked structure. The nickel electrode structure is a layered structure comprising successively growing stress-releasing metal layer, nickel-containing layer and cover metal layer. The stress-controlled metal layer material of the nickel electrode is one or more of Cr, Ti, Zn, Al, Cu, Al_Si alloy, Al_Cu alloy, Fe, W, Au, Sn, Pt or Al_Cu_Si alloy. The preparation method of the nickel electrode comprises the following steps: evaporating, sputtering, electroless plating or electroplating stress slow-release metal layer on the metal medium of the electrode surface of the chip in turn, containing Ni layer and cover metal layer. The flip-chip with the new electrode structure can improve the welding reliability of the flip-chip with ordinary solder paste and realize low cost. At the same time, the structure of stress-releasing metal layer is used to improve the stability of nickel metal coating and greatly improve the productivity.

【技术实现步骤摘要】
一种新型电极结构LED倒装芯片及制备方法
本专利技术涉及一种LED芯片结构及制备方法，尤其是一种具有新型电极结构的倒装LED芯片及其制备方法。
技术介绍
LED正装芯片普及多年，其性价比的优势获得了主流市场的青睐。然而，LED倒装芯片相比于正装芯片更有优势，包括更好的散热路径、大电流驱动下更高的光效、更低的免焊线封装成本等等。目前，市面上开发的LED倒装芯片的焊接电极主要以黄金金属层或者金锡合金结束层结束作为焊接面(为叙述方便，以黄金金属层作为焊接面的电极在这里称作金电极，以金锡合金金属层作为焊接面的电极在这里称作金锡电极)，如图1所示，包括电极1；发光区2。在LED行业里，金电极结构倒装芯片进行封装时通常采用普通锡膏进行焊接，由于锡为过量元素，普通电极表面的黄金会在毫秒时间内很快熔入锡膏焊料中，即“吃金现象”。在电极的其他普通金属无法阻挡“吃金”的情况下，就会产生锡膏与芯片次表层(二氧化硅等)脱焊的现象，在实际使用中这将会造成非常大的可靠性问题，尤其是灯具电流过驱提高功率时的使用寿命。金锡电极结构的倒装芯片本身电极为厚的金锡合金层(成分比为80:20)，可直接作为焊料，后续采用热压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有新型电极结构的倒装LED芯片，其特征在于，所述的芯片电极结构为层叠结构的镍电极，所述镍电极结构由内至外为包含依次生长的应力缓释金属层、含Ni层和盖层金属层等成分的层状结构。

【技术特征摘要】
1.一种具有新型电极结构的倒装LED芯片，其特征在于，所述的芯片电极结构为层叠结构的镍电极，所述镍电极结构由内至外为包含依次生长的应力缓释金属层、含Ni层和盖层金属层等成分的层状结构。2.根据权利要求1所述一种具有新型电极结构的倒装LED芯片，其特征在于：所述镍电极的应力缓释金属层材料为Cr、Ti、Zn、Al、Cu、Al-Si合金、Al-Cu合金、Fe、W、Au、Sn、Pt或Al-Cu-Si合金中的一种或几种；所述盖层金属层材料为Au或Pt金属。3.根据权利要求1或2所述的镍电极结构，其特征在于：所述应力缓释金属层厚度为1-1000nm，所述含Ni层厚度为0.1-20um，所述在LED芯片电极面的金属介质上生长的Au层厚度为10-1000nm。4.根据权利要求3所述一种具有新型电极结构的倒装LED芯片，其特征在于：所述镍电极结构包含依次生长的作为应力缓释金属层的Al层、含Ni层为Ni层和盖层金属层为Au层。5.根据权利要求3所述一种具有新...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴懿平，区燕杰，吕卫文，
申请(专利权)人：珠海市一芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44