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本发明提供一种具有新型电极结构的倒装LED芯片，其特征在于，所述的芯片电极结构为层叠结构的镍电极。所述镍电极结构为包含依次生长的应力缓释金属层、含Ni层和盖层金属层等成分的层状结构。所述镍电极应力缓释金属层材料为Cr、Ti、Zn、Al、Cu...
该专利属于珠海市一芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海市一芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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