The invention provides a preparation method of flip-chip LED chips, which includes: preparing epitaxial slices by S1; preparing first protective layer by S2; preparing first alloy layer by S3 on the surface of first protective layer; etching first protective layer and first alloy layer by S4 according to preset image; and successively preparing high reflective metal layer by S5 on the surface of epitaxial slices in etching area. The second alloy layer, in which the thickness of the high reflection alloy layer is the same as that of the first protective layer; the non-etched area in S6 etching 4 until the epitaxial layer is exposed; and the second protective layer, the electrodes, the third protective layer and the pad are prepared on the second alloy layer surface in turn by S7 to complete the fabrication of flip-chip LED. The \absorbable\ metal on the edge of the high reflective metal layer is very narrow or even absent, which greatly improves the brightness of flip-chip LED.
【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片制备方法
本专利技术属于半导体领域,具体涉及一种倒装LED芯片制备方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode,发光二极管)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件,其能直接将电能转化为光能。作为一种新型的照明光源材料,广泛应用于各个领域。由传统正装LED中存在散热差、透明电极电流分布不均匀、表面电极焊盘和引线挡光等问题,越来越多的厂商、工程师致力于寻求制备LED芯片的新技术,倒装芯片技术应运而生。目前,倒装技术在LED领域中的不断成熟,应用也随之越来越广泛,如,应用于球栅针列封装(BallGridArray,BGA)、芯片尺寸封装(ChipScalePackage,CSP)、COB(ChiponBoard)封装、闪光灯、车灯等技术中,有效提高生产效率、降低器件成本以及提高固晶可靠性等。随着倒装技术的不断发展,市场上对倒装芯片的亮度、光效、可靠性的要求也随之不断提高,现有技术制备出来的倒装LED芯片并不能满足应用厂商的要求。
技术实现思路
基于上述问题,本专利技术的目的是提供一倒装LED芯片制备方法,有效解决了现有倒装LED芯片亮度不足的技术问题。一种倒装LED芯片制备方法,包括:S1制备外延片;S2在外延片上制备第一保护层;S3在所述第一保护层表面制备第一合金层;S4根据预设图像蚀刻所述第一保护层和第一合金层;S5在蚀刻区域外延片表面依次制备高反射金属层和第二合金层;S6蚀刻步骤S4中未蚀刻区域,直至露出外延层;S7在第二合金层表面依次制备第二保护层、电极、第三保护层以及焊盘,完成倒装LED芯片的制备。进一步优选地, ...
【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片制备方法,其特征在于,所述倒装LED芯片制备方法中包括:S1制备外延片;S2在外延片上制备第一保护层;S3在所述第一保护层表面制备第一合金层;S4根据预设图像蚀刻所述第一保护层和第一合金层;S5在蚀刻区域外延片表面依次制备高反射金属层和第二合金层;S6蚀刻步骤S4中未蚀刻区域,直至露出外延层;S7在第二合金层表面依次制备第二保护层、电极、第三保护层以及焊盘,完成倒装LED芯片的制备。
【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片制备方法,其特征在于,所述倒装LED芯片制备方法中包括:S1制备外延片;S2在外延片上制备第一保护层;S3在所述第一保护层表面制备第一合金层;S4根据预设图像蚀刻所述第一保护层和第一合金层;S5在蚀刻区域外延片表面依次制备高反射金属层和第二合金层;S6蚀刻步骤S4中未蚀刻区域,直至露出外延层;S7在第二合金层表面依次制备第二保护层、电极、第三保护层以及焊盘,完成倒装LED芯片的制备。2.如权利要求1所述的倒装LED芯片制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述第一保护层为SiO2层或SiON层或SiN层,厚度为1000~20000埃。3.如权利要求1所述的倒装LED芯片制备方法,其特征在于,在步骤S3和步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员:金力,彭翔,赵汉民,汤松龄,
申请(专利权)人:晶能光电江西有限公司,
类型:发明
国别省市:江西,36
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。