The utility model discloses a thin-film AlGaInP light-emitting diode chip, which comprises a bonded substrate with a positive and a negative side, a metal bonding layer on the substrate side, an epitaxial metal bonding layer, a P-plane diffusion barrier metal layer, and a P-plane reflection ohmic contact layer from the front of the bonded substrate to the top. From the top of the layer, there are P-type current spreading layer, P-type limiting layer, P-side space layer, multi-quantum well luminous region, N-side space layer, N-type limiting layer, N-type coarsening layer, N-type ohmic contact layer and N-electrode, respectively. The reverse side of the bonded substrate is P-electrode. The P-plane reflective ohmic contact layer adopted by the utility model has the functions of light reflection and ohmic contact, and the block of the P-plane reflective ohmic contact layer can effectively reduce the shielding effect of the N-electrode by optimizing the distance between the blocks and the width of the N-electrode. The utility model has the advantages of effectively improving electro-optical conversion efficiency and simple structure.
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片
本技术涉及半导体发光器件领域,尤其是涉及一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片。
技术介绍
半导体发光二极管(Light-EmittingDiodes,LED)已经在很多领域被广泛应用,被公认为下一代绿色照明光源。与砷化镓衬底晶格匹配的AlGaInP材料可覆盖从560nm到650nm范围的可见光波长,是制备红色到黄绿色LED的优良材料。AlGaInP-LED在固态照明领域中有着重要应用,例如全色彩屏幕显示器、汽车用灯、背光源、交通信号灯及日常照明灯等。近年来,人们在外延生长技术上取得了很大进步,AlGaInP发光二极管内量子效率可达到90%以上,而常规结构芯片受衬底吸收和全反射损耗等原因影响,光提取效率不到10%,从而电光转换效率只有8%左右。提高AlGaInP发光二极管的电光转换效率,一种非常有效的办法是采用在砷化镓衬底上生长AlGaInP发光二极管功能层,再P面向下键合到硅、锗、蓝宝石等其他具有反射结构的基板上,然后将砷化镓衬底剥离,制作N电极并进行表面粗化减少光输出面的全反射损耗,这样业界称为薄膜型AlGaInP发光二极管芯片可以将LED的电光转换效率提升3∽5倍。此前,业界针对薄膜型AlGaInP发光二极管芯片提出了很多方案,其典型结构如图1所示,图1为AlGaInP薄膜LED芯片的结构示意图,包括:键合基板100、反射金属导电层101、介质层102、P面接触电极103、P型电流扩展层105、P型限制层106、P侧空间层107、多量子阱发光区108、N侧空间层109、N型限制层110、N型粗化层111、N型欧 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片,包括:具有正反面的键合基板;其特征在于:从键合基板正面往上依次为:基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层;从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层,N电极;键合基板的反面为P电极;P面反射欧姆接触层为Ag或者Ni/Ag叠层金属结构,与P型电流扩展层形成良好的欧姆接触,同时具备光反射和欧姆接触功能。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片,包括:具有正反面的键合基板;其特征在于:从键合基板正面往上依次为:基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层;从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层,N电极;键合基板的反面为P电极;P面反射欧姆接触层为Ag或者Ni/Ag叠层金属结构,与P型电流扩展层形成良好的欧姆接触,同时具备光反射和欧姆接触功能。2.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片,其特征在于:在非粗化的N型欧姆接触层的上面制备N电极,N电极为Au/Ge/Ni叠层结构;每个N电极正对位置为P面反射欧姆接触层的间隔区,且N电极的中心与P面反射欧姆接触层的中心相对应,N电极的宽度a小于P面反射欧姆接触层的间距b,并满足a=x*b,x=0....
【专利技术属性】
技术研发人员:李树强,陈芳,郭醒,吴小明,王光绪,刘军林,江风益,
申请(专利权)人:南昌大学,南昌黄绿照明有限公司,
类型:新型
国别省市:江西,36
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