本发明公开了一种快速、联网、轻巧、价廉的用智能手机监测PM2.5的系统，此系统除通常智能手机外，增设了小巧、智能的智能空气采样头。智能空气采样头既可使用人嘴来吸气采样,也可使用采样气泵采样。智能空气采样头和智能手机之间能通讯。在手机的引...

本发明公开了一种MOCVD气路压差控制系统，包括：主载气管道，主气路管道和旁路管道，特征是：在主气路管道的前端依次安装有主气路管道质量流量控制器和压力传感器，在旁路管道的最后端安装有一个压力控制器，在主气路管道上安装有六个四通切换阀，在...

本发明公开了一种腔壁温度可由生长程序实时设置的气相外延反应管，包括反应室和控制系统，在反应室内的MOCVD加热器的上面安装有石墨衬底基座和外延衬底，在外延衬底的上方安装有MOCVD喷头，特征是：在反应室内壁的顶部、底部和四周侧壁上设有循...

本发明公开了一种具有应力调制层的氮化镓基LED薄膜芯片及其制备方法，它是在P面欧姆接触金属层和黏结层之间设置有应力调制层，所述应力调制层为Pt和Cr两种金属交替堆叠形成的多个周期的厚度渐变的叠层结构，即Cr/Pt/Cr/、Pt/Cr/P...

本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，它包括衬底，依次形成于衬底上的缓冲层、n型层，多量子阱层和p型层，特征是：所述n型层由从下向上依次叠加的n型GaN层、n型层内应力释放层、n型层内势垒阻挡层和n型层内电子注入层组成。p层由p-...

本发明公开了一种低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法，其结构包括：基板层，生长衬底上的外延层被转移至所述基板层之上；基板层与外延层之间，由上至下依次有阻挡保护层、稀释保护层和黏结层；N电极位于外延层之上。它利用由多种金属或合金的叠...

本实用新型公开了一种应用于MOCVD的双波长比色测温及校温装置，包括红外辐射探头盒体，特征是：在红外辐射探头盒体内的上分光片腔和下分光片腔分别斜向放置有二向分光滤光片和蓝宝石片；在上出光孔的上方设有上滤光片和上光电探测器，在左出光孔的右...

本实用新型公开了一种LED薄膜芯片的半导体基板，包括半导体基板本体，特征是：在半导体基板本体的上表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的上粗糙层，上粗糙层与键合金属进行结合，在半导体基板本体的下表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的下...

本发明公开了一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底，包括硅（111）面衬底本体，在硅衬底本体上表面加工有条状隔离带，条状隔离带由相互垂直、宽度相同的纵隔离带和横隔离带构成，将硅衬底本体分割成了多个的矩形生长平台，其特征在于：矩形生长...

本发明公开了一种多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置，它包括一个由顶板、侧壁和底板构成圆柱形的封闭壳体，封闭壳体的内部被中层板分隔成密封腔和水冷腔，在水冷腔两端对应的侧壁上分别安装有冷却水进水管和冷却水出水管，特征是：密封腔被竖直的隔离...

本发明公开了一种在线测量发光二极管外延片光致发光光谱装置，它包括反应室和控制系统，在反应室安装有MOCVD加热器、石墨衬底基座、外延片和，MOCVD喷头，特征是：在MOCVD喷头的石英棒孔中安装有石英棒和石英棒外套；激光光纤连接在激光器...

本实用新型公开了一种具有银锡焊接电极的半导体发光器件，它包括：具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层，在半导体发光叠层的第一表面上形成P型欧姆电极和N型欧姆电极，在半导体发光叠层朝上的第二表面形成一层支撑基板，特征是：在半导体发光叠层的...

本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上设有n型层和p型层，其特征在于：n型层由从下向上依次叠加的n-GaN、n型层内量子阱层和AlxInyGa(1-x-y)N:Si电子注入层构成，p型层由从下向...

本发明公开了一种倒装半导体发光器件及其制造方法，它包括：具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层，在半导体发光叠层的第一表面上形成P型欧姆电极和N型欧姆电极，在半导体发光叠层朝上的第二表面形成一层支撑基板，特征是：所述的支撑基板是由玻璃或...

本发明公开了一种具有透明有机支撑基板的半导体发光器件及其制备方法，该半导体发光器件包括：具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层，特征是：半导体发光叠层的第一表面为P型导电层，在第一表面的部分区域上形成一个或多个底部为N型导电层的凹坑，在...

本发明公开了一种垂直气流型MOCVD气体输运喷头装置，它包括一个由顶板、侧壁以和底板组成的封闭型外壳，封闭型外壳的内部被分成保温腔、气体混合室和水冷腔，进气孔将气体混合室和进气孔的出气口下方的反应室连通，特征是：在气体混合室对应的侧壁上...