采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO，并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理；步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理；步骤3、化学腐蚀之后，对外延片的表面进行等离子体轰击处理；步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。根据本发明专利技术的制备方法制备的反射镜的结构自下而上包括：外延片，ITO层，金属层。本发明专利技术可以获得低阻抗、高热稳定性、高反射率的欧姆接触，达到提高芯片出光效率的效果。本发明专利技术具有制备工艺条件易控制，步骤操作简单，成本低、易于大规模生产等优点。

【技术实现步骤摘要】
采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法
本专利技术属于半导体
，特别是指一种采用氧化铟锡(ITO)作为插入层后蒸镀金属的反射镜及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(LED)p-GaN的掺杂浓度较低，功函数会非常的高，导致很难有合适的金属跟它的功函数相匹配，因此很难形成很好的欧姆接触。为了解决这一问题，一方面，我们可以选择功函数更好的金属，减小金属与p-GaN的功函数差，从而获得相对更好的欧姆接触；另一方面，我们也在探索新的接触材料，研究新的表面处理的工艺，以期望获得低阻抗、高热稳定性、高反射率的p型欧姆接触。常用的反射镜金属体系有Ag、Al、Au等金属，而在这三种金属之中，金属Ag作为反射镜在440nm至500nm的波段有更高的反射率，而且Ag基反射镜与湿法腐蚀的工艺相兼容，因此常常被用来做p-GaN的接触金属。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题鉴于上述技术问题，本专利技术提供了一种采用氧化铟锡(ITO)作为插入层后蒸镀金属的反射镜及其制备方法。ITO插入层的存在能够很大程度上提高金属与外延片的欧姆接触特性，并且提高反射率。(二)技术方案根据本专利技术的一个方面，提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO，并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理；步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理；步骤3、化学腐蚀之后，对外延片的表面进行等离子体轰击处理；步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。

【技术特征摘要】
1.一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO，并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理；步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理；步骤3、化学腐蚀之后，对外延片的表面进行等离子体轰击处理；步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤1中，蒸镀氧化铟锡时采用电子束蒸发的方法，反应条件包括：温度为150℃至300℃，压强为1*10-5Torr至1*10-8Torr。3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，生成氧化铟锡的厚度为500A至2000A之间。4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤1中，进行退火时的退火条件为：在流动氮气的情况下，温度300℃至800℃，时间20min至40min。5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤2中，进行化学腐蚀的具体步骤为：将外延片放置在BOE溶液中...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘喆，梁冬冬，薛斌，王军喜，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11