一种发光二极管芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极和N型电极，N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上；P型电极包括焊点和电极线，电极线的一端与所述焊点连接，电极线的另一端沿远离焊点的方向延伸；电极线包括依次层叠的粘附层、反光层、复合层和打线层，反光层和打线层为Al膜，复合层包括依次层叠的第一过渡层、导电层和第二过渡层，导电层为Cu膜，第一过渡层和第二过渡层为TiW膜。本发明专利技术可解决电迁移。

A light emitting diode chip and its fabrication method

The invention discloses a light-emitting diode chip and a manufacturing method thereof, belonging to the semiconductor technology field. The chip consists of substrate, N type semiconductor layer, multiple quantum well layer, P type semiconductor layer, P type electrode and N type electrode. The N semiconductor layer, multi quantum well layer and P semiconductor layer are stacked on the substrate in turn. The P type semiconductor layer has a groove extending to the N type semiconductor layer, the N type electrode is set on the N semiconductor layer within the groove, and P. The type electrode is arranged on the P type semiconductor layer; the P type electrode consists of solder joint and electrode line. One end of the electrode line is connected with the solder joint. The other end of the electrode line extends along the direction far away from the solder joint; the electrode line includes the adhesive layer, the reflective layer, the composite layer and the wire layer, the reverse light layer and the line layer are Al films, and the composite layer includes the electrode line. The first transition layer, the conductive layer and the second transition layer are successively stacked. The conductive layer is Cu film, and the first transition layer and the second transition layer are TiW films. The invention can solve electromigration.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种可以把电能转化为光能的半导体二极管。作为高效、环保、绿色的新一代固态照明光源，LED具有低电压、低功耗、体积小、重量轻等优点，可以做成点、线、面各种形式的轻薄短小产品。而且LED的光谱中没有紫外线和红外线，发出的光中没有热量和有害辐射，废弃物可回收，没有污染，属于典型的绿色照明光源，环保效益很好。另外，LED的控制极为方便，可以通过调整电流随意调节光强度，并且不同光色的组合变化多端，利用时序控制电路即可达到丰富多彩的动态变化效果。因此目前LED已经广泛应用在交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、户外全彩显示屏等领域，尤其是在照明领域，LED的渗透率达到52％，发挥了独特的不可替代的作用。芯片是LED的核心组件，现有的芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极和N型电极。N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层依次层叠在蓝宝石衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述多量子阱层、所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的一个表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述P型电极包括焊点和电极线，所述电极线的一端与所述焊点连接，所述电极线的另一端沿远离所述焊点的方向延伸；所述电极线包括依次层叠的粘附层、反光层和打线层，所述反光层和所述打线层为Al膜；其特征在于，所述电极线还包括设置在所述反光层和所述打线层之间的复合层，所述复合层包括依次...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述多量子阱层、所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的一个表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述P型电极包括焊点和电极线，所述电极线的一端与所述焊点连接，所述电极线的另一端沿远离所述焊点的方向延伸；所述电极线包括依次层叠的粘附层、反光层和打线层，所述反光层和所述打线层为Al膜；其特征在于，所述电极线还包括设置在所述反光层和所述打线层之间的复合层，所述复合层包括依次层叠的第一过渡层、导电层和第二过渡层，所述导电层为Cu膜，所述第一过渡层和所述第二过渡层为TiW膜。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述TiW膜包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层中Ti组分的含量大于所述第二子层中Ti组分的含量，所述第二子层中Ti组分的含量小于所述第三子层中Ti组分的含量。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一子层和所述第三子层的厚度之和为20nm～40nm。4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一过渡层和所述第二过渡层的厚度之和为100nm～150nm。5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导电层的厚度为400nm～600nm。6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括设置在所述衬底的表面上的分布式布拉格反射镜DBR，所述衬底设置所述DBR的表面为与所述衬底设置所述N型半导体层的表面相反的表面；所述DBR包括多个周期的金属氧化物薄膜，...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，顾小云，汪洋，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33