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本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极和N型电极，N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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