一种感应铟锡氧化物层的布线结构制造技术

本发明专利技术公开了一种感应铟锡氧化物层的布线结构，它包括并排或并列布置的多个感应铟锡氧化物子单元，所述每个感应铟锡氧化物子单元均包括相互垂直的第一触控感应区和第二触控感应区；所述第一触控感应区和第二触控感应区均包括相互连通的第一触控感应子区和第二触控感应子区。本发明专利技术通过改变菱形ITO图形折射角的方式以降低光学折射导致图形显现的概率，同时采用大量独立ITO区块增强耦合电容减小阻抗，能大幅提高信噪比和悬空感应的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触控屏设计
，具体地指一种感应铟锡氧化物层的布线结构。
技术介绍
由于nO(Indium tin oxide，铟锡氧化物)具备极佳的导电性和透明性，其已广泛用于制作于液晶面板、触摸屏等显示面板。标准菱形ITO图形是触控面板SensingITO层(感应铟锡氧化物层)一种经典的图形结构，但是其信噪比较低、抑制某些特殊光学折射导致图形显现的能力较弱，此外，对于离地悬空进行触摸操作的灵敏度较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种感应铟锡氧化物层的布线结构，通过改变菱形ITO图形折射角的方式以降低光学折射导致图形显现的概率，同时采用大量独立ITO区块增强耦合电容减小阻抗，能大幅提高信噪比和悬空感应的灵敏度。为实现此目的，本专利技术所设计的一种感应铟锡氧化物层的布线结构，包括并排或并列布置的多个感应铟锡氧化物子单元，所述每个感应铟锡氧化物子单元均包括相互垂直的第一触控感应区和第二触控感应区；所述第一触控感应区和第二触控感应区均包括相互连通的第一触控感应子区和第二触控感应子区。进一步地，所述第一触控感应子区和第二触控感应子区均包括相互连通的第一 8边形ITO区块和第二 8边形ITO区块。更进一步地，所述第一触控感应子区和第二触控感应子区包括相互对称的第一独立ITO区块和第二独立ITO区块。更进一步地，所述第一独立ITO区块和第二独立ITO区块均包括3个独立三角形ITO区块和I个独立菱形ITO区块。本专利技术的有益效果:本专利技术将基本的菱形图案进行分解，根据玻璃与空气的折射率不同在图形上进行了相应的角度处理，有效的降低了光学折射导致图形显现的概率，提高了用户对触控屏画面的体验感觉；本专利技术采用大量独立的ITO区块设计，减小了感应通道的阻抗，增强了每个节点空间耦合电容，不仅增强了整体信噪比，还减弱了悬空操作下感应量的衰减，有效的提升了用户的触控体验。【附图说明】图1为本专利技术的一种感应铟锡氧化物层的布线结构；图2为本专利技术一种感应铟锡氧化物层的布线结构应用于触控面板的实施例1 ;图3为本专利技术一种感应铟锡氧化物层的布线结构应用于触控面板的实施例2 ;其中，1-感应铟锡氧化物层，1.1-感应铟锡氧化物子单元，1.2-第一触控感应区，1.3-第二触控感应区，1.4-第一触控感应子区，1.5-第二触控感应子区，1.6-第一 8边形ITO区块，1.7-第二 8边形ITO区块，1.8-第一独立ITO区块，1.9-第二独立ITO区块。【具体实施方式】以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的详细说明:如图1所示，本专利技术公开的一种应用于触控屏的感应铟锡氧化物层，它包括并排或并列布置的多个感应铟锡氧化物子单元(1.1)，其中每个感应铟锡氧化物子单元(1.D都包括相互垂直的第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3);所述第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3)均包括相互连通的第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)，所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)相互对称。上述技术方案中，所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)均包括相互连通的第一 8边形ITO区块(1.6)和第二 8边形ITO区块(1.7)，所述第一 8边形ITO区块(1.6)和第二 8边形ITO区块(1.7)相互对称。上述技术方案中，所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)包括相互对称的第一独立ITO区块(1.8)和第二独立ITO区块(1.9)，所述第一独立ITO区块(1.8)和第二独立ITO区块(1.9)相互对称。上述技术方案中，所述第一独立ITO区块(1.8)和第二独立ITO区块(1.9)均包括3个独立三角形ITO区块和I个独立菱形ITO区块。上述技术方案中，所述三角形ITO区块为等腰三角形ITO区块。上述方案采用大量分立的ITO区块结构设计，与非分立式设计相比，上述方案减小了阻抗并增加了空间耦合电容，可以更大程度的适用于驱动能力较弱的电容式触控芯片，同时使充放电时的衰减量减小，减小了近端和远端的电荷差异，对电容式触控芯片的校正能力需求有所降低，并且使触控面板整面更为平整，操作性更好。上述技术方案中，所述每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)之间的间距为4mm-8mm，所述每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)内部各ITO区块之间的间距为20 μπι-400 μπι。上述技术方案中每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)及每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)内部各ITO区块之间间距的上限是根据电容式驱动芯片能力的上限进行电容、电阻设计，下限是根据当前工艺制程适用于量产的稳定制造极限进行规范，从而使符合改范围内的设计均可进行正常操作。上述技术方案中，所述每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)的发射线、接收线之间跨桥的宽度为10 μ m-300 μ m，其中，接收线是指第一触控感应区(1.2)中的4个8边形ITO区块，发射线是指第二触控感应区(1.3)中的4个8边形ITO区块。由于触控屏中玻璃盖板或玻璃层的折射率与空气不同导致对消影制程有较高的要求，上述技术方案通过对图形的更改，根据折射率相对情况在某些特殊的全反射角度下对图形进行改良，使之形成变化，避开全反射效应，从而有效的降低了光学折射导致图形显现的概率，提高了用户对触控屏画面的体验感觉。—种使用上述感应铟锡氧化物层制作触控屏的实施例1，如图2所示，该触控屏包括玻璃盖板、感应铟锡氧化物层(I)和驱动铟锡氧化物层，其中驱动铟锡氧化物层的顶面贴合感应铟锡氧化物层(I)，感应铟锡氧化物层(I)的顶面贴合玻璃盖板。—种使用上述感应铟锡氧化物层制作触控屏的实施例2，如图3所示，该触控屏包括玻璃盖板、光学胶层、感应铟锡氧化物层(I)、驱动铟锡氧化物层和玻璃层，其中玻璃层的顶面贴合驱动铟锡氧化物层，驱动铟锡氧化物层的顶面贴合感应铟锡氧化物层(I)，感应铟锡氧化物层(I)的顶面贴合光学胶层，光学胶层的顶面贴合玻璃盖板。本说明书未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。【主权项】1.一种感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于:它包括并排或并列布置的多个感应铟锡氧化物子单元(1.1)，所述每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)均包括相互垂直的第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3);所述第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3)均包括相互连通的第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)。2.根据权利要求1所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于:所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)相互对称。3.根据权利要求2所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于:所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)均包括相互连通的第一 8边形ITO区块(1.6)和第二 8边形ITO区块(1.7) ο4.根据权利要求3所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于:所述第一8边形ITO区块(1.6)和第二 8边形ITO区块(1.7)相互对称。5.根据权利要求2所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于:所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)包括相互对称的第一独立ITO区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：它包括并排或并列布置的多个感应铟锡氧化物子单元(1.1)，所述每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)均包括相互垂直的第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3)；所述第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3)均包括相互连通的第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：游健超，
申请(专利权)人：武汉精测电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42