改善金属迁移的芯片结构、发光二极管显示屏和显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种改善金属迁移的芯片结构、发光二极管显示屏和显示装置，所述改善金属迁移的芯片结构包括衬底，位于衬底上的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层，以及第一电极、第二电极，完全覆盖第一电极的第一防迁移电极和完全覆盖第二电极的第二防迁移电极，由于增加设置了防迁移电极，所述防迁移电极完全覆盖原来电极，并且与半导体层电性连接，使得防迁移电极完全包裹住原来的电极，避免原来的第一电极和第二电极中的Cr层暴露在空气中，从而避免了显示芯片在正常使用过程中出现Cr金属迁移的异常现象，保证了Cr层的粘附作用，进而避免了LED芯片结构的电极脱落的问题。

【技术实现步骤摘要】
改善金属迁移的芯片结构、发光二极管显示屏和显示装置
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种改善金属迁移的芯片结构、发光二极管显示屏和显示装置。
技术介绍
LED(Light-EmittingDiode，发光二极管)被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同，可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。目前常用的LED显示应用通常用作室内外的广告显示屏幕上，大屏幕上设置多个阵列排布的多个LED灯珠，将每个LED灯珠作为一个像素点，通过控制每个LED灯珠的点亮状态，控制整个大屏幕显示画面。但是，由于现有技术中LED芯片经常存在电极脱落的问题，从而导致显示屏出现部分暗点，显示画面不完整。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种改善金属迁移的芯片结构、发光二极管显示屏和显示装置，以解决现有技术中LED芯片的电极经常脱落造成的显示屏出现暗点，导致显示画面不完整的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种改善金属迁移的芯片结构，包括：衬底；位于所述衬底表面，且沿背离所述衬底的方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；位于所述第二型半导体层背离所述衬底表面的透明导电层；位于所述透明导电层背离所述衬底表面的钝化层；第一电极，所述第一电极位于所述第一型半导体层上，且与所述第一型半导体层电性连接；第二电极，所述第二电极位于所述透明导电层上，且与所述透明导电层电性连接；其中，所述第一电极和所述第二电极沿背离所述衬底的方向依次包括层叠的Cr层和Al层；还包括：第一防迁移电极，所述第一防迁移电极完全覆盖所述第一电极，且与所述第一型半导体层电性连接；第二防迁移电极，所述第二防迁移电极完全覆盖所述第二电极，且与所述透明导电层电性连接。优选地，所述第一防迁移电极和所述第二防迁移电极的材料和结构均相同。优选地，所述第一防迁移电极包括至少一个第一金属叠层结构。优选地，所述第一金属叠层结构沿背离所述衬底的方向依次包括层叠的Ti层、Pt层和Au层。优选地，所述第一电极和所述第二电极的材料和结构均相同。优选地，所述第一电极包括至少一个第二金属叠层结构，所述第二金属叠层结构位于所述Al层背离所述衬底的表面。优选地，所述第二金属叠层结构沿背离所述衬底的方向依次包括层叠的Ti层和Pt层。优选地，所述第一型半导体层为N型半导体层；所述第二型半导体层为P型半导体层。优选地，所述N型半导体层为N型氮化镓层；所述P型半导体层为P型氮化镓层。本技术还提供一种发光二极管显示屏，包括上面任意一项所述的改善金属迁移的芯片结构。本技术还提供一种发光二极管显示装置，包括上面所述的发光二极管显示屏。经由上述的技术方案可知，本技术提供的改善金属迁移的芯片结构，包括：衬底；位于所述衬底表面，且沿背离所述衬底的方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；位于所述第二型半导体层背离所述衬底表面的透明导电层；位于所述透明导电层背离所述衬底表面的钝化层；第一电极，所述第一电极位于所述第一型半导体层上，且与所述第一型半导体层电性连接；第二电极，所述第二电极位于所述第二型半导体层上，且与所述第二型半导体层电性连接；其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿背离所述衬底的方向依次包括层叠的Cr层和Al层；还包括：第一防迁移电极，所述第一防迁移电极完全覆盖所述第一电极，且与所述第一型半导体层电性连接；第二防迁移电极，所述第二防迁移电极完全覆盖所述第二电极，且与所述第二型半导体层电性连接。也即本技术中在现有技术中LED芯片的第一电极上增加设置尺寸大于第一电极的第一防迁移电极，在第二电极上增加设置尺寸大于第二电极的第二防迁移电极，采用防迁移电极完全覆盖原来电极，并且与半导体层电性连接，使得防迁移电极完全包裹住原来的电极，避免原来的第一电极和第二电极中的Cr层暴露在空气中，从而避免了显示芯片在正常使用过程中出现Cr金属迁移的异常现象，保证了Cr层的粘附作用，进而避免了LED芯片结构的电极脱落的问题。本技术还提供一种应用上述改善金属迁移的芯片结构的发光二极管屏和包含所述发光二极管显示屏的发光二极管显示装置，由于采用了上述改善金属迁移的芯片结构，其电极相对于现有技术中的LED芯片结构的电极，更加牢固，不易脱落，从而保证了发光二极管显示装置中的LED芯片的显示正常率，进而保证了发光二极管显示装置的显示效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中LED芯片结构的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种改善金属迁移的芯片结构的结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种第一防迁移电极的结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种第一电极的结构示意图；图5为本技术实施例提供的一种发光二极管显示屏结构示意图；图6为本技术实施例提供的一种发光二极管显示装置结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，现有技术中由于LED芯片经常存在电极脱落的问题，从而导致LED显示屏出现部分暗点，显示画面不完整。专利技术人发现，现有技术中LED芯片结构如图1所示，包括：衬底01，以及位于衬底01上的N型氮化镓层02、有源层03和P型氮化镓层04；位于P型氮化镓层04上的透明导电层05以及钝化层06；透明导电层05上开设有N型电极开口，钝化层06上开设有P型电极开口；位于N型电极开口内的N型电极07，N型电极07位于N型氮化镓层02上，且与N型氮化镓层02电性连接；位于P型电极开口内的P型电极08，P型电极08位于透明导电层05上，且与透明导电层05电性连接。其中，钝化层06通常采用二氧化硅；透明导电层05通常采用ITO(氧化铟锡)材料；而P型电极08和N型电极07采用多层金属层叠结构。常见的金属层叠结构为：沿背离衬底的方向依次设置的Cr层、Al层、Ti层、Pt层、Au层的反射电极，其中，在电极设计中，Al层主要起到反射作用，而Cr层主要作为接触层和粘附层存在，Cr层用于将透明导电层和位于Cr层上的Al层反射层粘结在一起，或者将N型半导体层和位于Cr层上的Al层反射层粘结在一起。而专利技术人发现，出现电极脱落的主要原因为：由于显示屏的单点控制需求，当LED芯片结构处于熄灭状态时，芯片处于负偏压状态，而由于Cr金属属于活泼金属，当在高湿度、负偏压状态下，常常发生电化学反应，出现金属Cr电迁移现象。而金属Cr层的厚度通常较薄，当金属Cr出现电迁移时，丧失了粘附作用，从而导致芯片电极的脱落，进而出现显示屏暗点，显示画面不完整的现象。基于此，本技术提供一种改善金属迁移的芯片结构，包括：衬底；位于所述衬底表面，且沿背离所述衬底的方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；位于所述第二型半导体层背离所述衬底表面的透明导电层；位于所述透明导电层背离所述衬底表面的钝化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善金属迁移的芯片结构，包括：衬底；位于所述衬底表面，且沿背离所述衬底的方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；位于所述第二型半导体层背离所述衬底表面的透明导电层；位于所述透明导电层背离所述衬底表面的钝化层；第一电极，所述第一电极位于所述第一型半导体层上，且与所述第一型半导体层电性连接；第二电极，所述第二电极位于所述透明导电层上，且与所述透明导电层电性连接；其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿背离所述衬底的方向依次包括层叠的Cr层和Al层；还包括：第一防迁移电极，所述第一防迁移电极完全覆盖所述第一电极，且与所述第一型半导体层电性连接；第二防迁移电极，所述第二防迁移电极完全覆盖所述第二电极，且与所述透明导电层电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种改善金属迁移的芯片结构，包括：衬底；位于所述衬底表面，且沿背离所述衬底的方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；位于所述第二型半导体层背离所述衬底表面的透明导电层；位于所述透明导电层背离所述衬底表面的钝化层；第一电极，所述第一电极位于所述第一型半导体层上，且与所述第一型半导体层电性连接；第二电极，所述第二电极位于所述透明导电层上，且与所述透明导电层电性连接；其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿背离所述衬底的方向依次包括层叠的Cr层和Al层；还包括：第一防迁移电极，所述第一防迁移电极完全覆盖所述第一电极，且与所述第一型半导体层电性连接；第二防迁移电极，所述第二防迁移电极完全覆盖所述第二电极，且与所述透明导电层电性连接。2.根据权利要求1所述的改善金属迁移的芯片结构，其特征在于，所述第一防迁移电极和所述第二防迁移电极的材料和结构均相同。3.根据权利要求2所述的改善金属迁移的芯片结构，其特征在于，所述第一防迁移电极包括至少一个第一金属叠层结构。4.根据权利要求3所述的改善金属迁移的芯片结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兆，吕奇孟，邬新根，杨国武，霍子曦，曹衍灿，唐浩，胡慧琴，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36