【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电子，更为具体地说，涉及一种发光二极管及其制作方法。
技术介绍
1、发光二极管(light-emitting diode，led)是一种半导体发光器件，其通过电子空穴发生辐射复合释放光子的原理实现发光。发光二极管具有体积小、能耗低、寿命长、环保等一系列传统光源不具备的优点。近年来，发光二极管在白光照明、户外显示、屏幕背光等领域的应用越来越广泛。现有的发光二极管在制备过程中容易形成位错缺陷，不仅对发光二极管的性能造成影响，还降低了发光二极管的制作良率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种发光二极管及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，降低了发光二极管在制作过程中形成位错缺陷的几率，提高了发光二极管的性能，且提高了发光二极管的制作良率。
2、为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：
3、一种发光二极管的制作方法，包括：
4、提供一图形化衬底，所述图形化衬底的生长面包括多个凸起；
5、在所述生长面一...
【技术保护点】
1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述生长面一侧形成第一非掺杂半导体层，所述第一非掺杂半导体层至少裸露所述凸起的顶部，包括：
3.根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺对所述第一非掺杂半导体材料层进行刻蚀，形成至少裸露所述凸起的顶部的第一非掺杂半导体层，包括：
4.根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述生长面一侧形成第一非掺杂半导体材料层，包括：
5.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述生长面一侧形成第一非掺杂半导体层，所述第一非掺杂半导体层至少裸露所述凸起的顶部，包括：
3.根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺对所述第一非掺杂半导体材料层进行刻蚀，形成至少裸露所述凸起的顶部的第一非掺杂半导体层，包括：
4.根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述生长面一侧形成第一非掺杂半导体材料层，包括：
5.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，在提供所述图形化衬底之后，且在所述生长面一侧形成第一非掺杂半导体层之前，还包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：滕龙，霍丽艳，章兴洋，吴洪浩，翁聪，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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