一种LED外延片的制备方法及LED外延片技术

本发明专利技术提供了一种LED外延片的制备方法及LED外延片，涉及半导体光电子技术领域，该制备方法在第一U型半导体层与第二U型半导体层之间形成了低温U型插入层，并对低温U型插入层进行退火处理，退火处理后的低温U型插入层改变了LED外延片内的位错方向，增加了位错相互消弭的几率，有效的释放了LED外延片中的应力，大幅度降低了后续外延薄膜制备的位错密度，提高了LED外延片质量的同时，增加了LED外延片的波长均匀性，进一步提升了内量子效率；并且退火处理使低温U型插入层远离衬底一侧的表面形成了多个锥形凹槽，这些锥形凹槽增加了低温U型插入层的表面粗糙度，从而增加了光的反射率，进一步提高了光的提取效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电子，更具体地说，涉及一种led外延片的制备方法及led外延片。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，简称led)作为一种新型的半导体固态光源，因其优越的性能在照明领域掀起新的浪潮，被誉为第四代绿色照明。

2、氮化镓(gan)作为第三代半导体材料代表之一，具有直接带隙、宽禁带、高击穿电场和高热导率等优异性能，gan基化合物一直是制备蓝白光led的主要材料，高质量gan材料一般都通过异质外延方法获得。作为常用于生长gan外延薄膜的衬底，蓝宝石有稳定的物理化学性质，但它与gan之间存在很大的晶格失配(16％)及热失配(25％)，因此，生长的gan外延薄膜质量较差；碳化硅(sic)衬底虽然与gan的晶格失配度仅为3.5％，但热失配与蓝宝石相当(25.6％)，且价格昂贵，同时外延技术被垄断，因此也无法大量推广；相比较下，硅(si)衬底据有成本低、单晶尺寸大、质量高、热导率高和导电性好等诸多优势，并且在si衬底上形成的gan外延薄膜也有望与硅的微电子技术相集成。

3、基于上述这些优点，在s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED外延片的制备方法，其特征在于，所述LED外延片的制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，所述在所述第一U型半导体层背离所述衬底的一侧形成低温U型插入层，包括：

3.根据权利要求1所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，所述在所述第一U型半导体层背离所述衬底的一侧形成低温U型插入层，包括：

4.根据权利要求1所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，所述对所述低温U型插入层进行退火处理，包括：

5.根据权利要求1所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，所述低温U型插入层为低温U型氮化镓插入...

【技术特征摘要】

1.一种led外延片的制备方法，其特征在于，所述led外延片的制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的led外延片的制备方法，其特征在于，所述在所述第一u型半导体层背离所述衬底的一侧形成低温u型插入层，包括：

3.根据权利要求1所述的led外延片的制备方法，其特征在于，所述在所述第一u型半导体层背离所述衬底的一侧形成低温u型插入层，包括：

4.根据权利要求1所述的led外延片的制备方法，其特征在于，所述对所述低温u型插入层进行退火处理，包括：

5.根据权利要求1所述的led外延片的制备方法，其特征在于，所述低温u型插入层为低温u型氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂虎臣，刘兆，袁健，唐慧慧，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：